[發明專利]制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法

無效

• 申請號: 200910195866.1
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN102024704A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 劉兵武;居建華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/324
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 謝安昆;宋志強

1.一種制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法，包括如下步驟：

在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結構；

在所述多晶硅柵極的兩側構造偏置側墻；

在所述多晶硅柵極兩側的偏置側墻底部的硅基底區域進行輕摻雜注入；

對晶圓進行第一快速熱處理；

在多晶硅柵極側壁上的偏置側墻的外側構造側墻；

在多晶硅柵極兩側分布的側墻底部的硅基底區域進行大劑量離子注入，分別形成源極和漏極；

對晶圓進行第二快速熱處理過程；

在晶圓表面沉積硅化物阻擋層，并對硅化物阻擋層進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結構的步驟包括：

在硅基底上表面沉積柵極氧化物層以及多晶硅層；

在多晶硅層上面涂布光刻膠，對所述光刻膠進行曝光并顯影，將基板上的圖形轉印到所述光刻膠上，以剩余的光刻膠為掩膜對所述多晶硅層進行蝕刻，未被蝕刻掉的多晶硅形成多晶硅柵極。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述多晶硅柵極的寬度范圍為65納米至75納米。

4.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅柵極的兩側構造偏置側墻的步驟包括：

用熱氧化生長的方法在硅基底上表面形成第一氧化層；

在所述氧化層的上面淀積第一氮化硅層；

對所述第一氮化硅層進行蝕刻，使覆蓋在多晶硅柵極頂部以及硅基底表面的水平分布的氮化硅薄膜通過蝕刻反應消耗掉，在多晶硅柵極側壁上覆蓋的氮化硅層殘留下來，成為偏置側墻結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述多晶硅柵極與偏置側墻的總寬度為70納米至100納米。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶圓進行第一快速熱處理和/或對晶圓進行第二快速熱處理過程中，升溫速率和降溫速率為50攝氏度/秒至100攝氏度/秒。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對晶圓進行第一快速熱處理和/或對晶圓進行第二快速熱處理過程中，初始溫度的范圍是400℃至650℃，峰值溫度的范圍900℃至1100℃。

8.根據權利要求1至3、6、7任一項所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅柵極兩側的偏置側墻底部的硅基底區域進行輕摻雜注入的步驟中，注入氟化硼劑量1×10¹⁴/cm²至3×10¹⁵/cm²。