[發明專利]低介電常數材料刻蝕的方法無效
| 申請號： | 200910195862.3 | 申請日： | 2009-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102024697A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發明（設計）人： | 趙林林 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電常數 材料 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低介電常數材料刻蝕的方法，其特征在于，該方法包括：
按照設定圖案對光阻進行曝光后，使用刻蝕氣體對所述低介電常數材料進行溝道刻蝕；
通入氣壓范圍在10～20毫托之間、流量范圍為400～700立方厘米每秒的氧氣對未曝光的剩余光阻進行灰化處理。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括C4F8、CHF3或CF4。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
