[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910195841.1
• 申請(qǐng)日: 2009-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102024754A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒立;羅飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/82
• 分類號(hào): H01L21/82;H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述的半導(dǎo)體襯底上具有突出結(jié)構(gòu)；

采用沉積工藝在所述的半導(dǎo)體襯底上依次沉積第一介質(zhì)層和刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層和第一介質(zhì)層在突出結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)位置的上表面高于其它位置的上表面；

采用旋涂工藝在刻蝕阻擋層上形成在不同位置上表面相同的第二介質(zhì)層；

采用第一刻蝕工藝刻蝕所述第二介質(zhì)層至暴露出刻蝕阻擋層的最高點(diǎn)；

采用第二刻蝕工藝刻蝕所述的第二介質(zhì)層、刻蝕阻擋層以及第一介質(zhì)層，直至完全去除所述刻蝕阻擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，進(jìn)一步包括采用第二刻蝕工藝進(jìn)一步過(guò)刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成設(shè)定厚度的第一介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，采用旋涂工藝在刻蝕阻擋層上形成在不同位置上表面相同的第二介質(zhì)層之后，進(jìn)一步包括：烘烤所述第二介質(zhì)層使其固化；采用等離子體處理所述第二介質(zhì)層，使第二刻蝕工藝刻蝕劑對(duì)第二介質(zhì)層的刻蝕速率與對(duì)刻蝕阻擋層和第一介質(zhì)層的刻蝕速率相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述的烘烤所述第二介質(zhì)層使其固化的溫度為150～300攝氏度，時(shí)間為1～30分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，采用等離子體處理的工藝為：壓強(qiáng)0.3～3Torr，等離子射頻功率為800～3000W，晶圓溫度為250～350℃，處理時(shí)間為30～60秒，其中氮?dú)饣蛘叨栊詺怏w的流量為1500～3500sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，第一刻蝕工藝的刻蝕劑包括CF₄，CHF₃，O₂，CF₄的氣體流量為20～50sccm，CHF₃的氣體流量為10～40sccm，O₂的氣體流量為5～20sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，第二刻蝕工藝的刻蝕劑包括CHF₃，CH₂F₂，Ar，CHF₃的氣體流量為20～40sccm，CH₂F₂的氣體流量為10～30sccm，Ar的氣體流量為100～200sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述的突出結(jié)構(gòu)為柵極結(jié)構(gòu)或者金屬互連線結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述的第一介質(zhì)層采用高密度等離子體沉積工藝形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述的第二介質(zhì)層材料為DUO。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述的刻蝕阻擋層材料為氮化硅或者氮氧化硅。