[發(fā)明專利]涂層材料的涂布方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910195840.7 | 申請日： | 2009-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102019266A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 章國偉;張爾飚;吳欣華;劉貴娟 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B05D5/00 | 分類號： | B05D5/00;B05D7/00;B05D7/24;B05C11/02;B05C11/08;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 涂層 材料 方法 | ||
1.一種涂層材料的涂布方法，包括：
提供半導(dǎo)體晶片；
向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑涂層材料；
旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層，其中所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的涂層厚度比中央?yún)^(qū)域的涂層厚度大；
繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑清洗液；
再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于，所述涂層材料是光刻膠。
3.如權(quán)利要求2所述的涂布方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域是靠近該半導(dǎo)體晶片側(cè)邊3mm的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的涂布方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域是靠近該半導(dǎo)體晶片側(cè)邊1.5mm的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的涂布方法，其特征在于，向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑的清洗液的體積為5～25ml。
6.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于，以第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層。
7.如權(quán)利要求6所述的涂布方法，其特征在于，以第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片之前，還包括：
以小于所述第一速率的第四速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。
8.如權(quán)利要求7中任意一項所述的涂布方法，其特征在于，以第二速率繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，其中所述第二速率小于所述第一速率。
9.如權(quán)利要求8所述的涂布方法，其特征在于，以第三速率再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，其中所述第三速率大于所述第二速率并小于所述第一速率。
10.如權(quán)利要求9所述的涂布方法，其特征在于，向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑涂層材料。
11.如權(quán)利要求10所述的涂布方法，其特征在于，在向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑涂層材料之前，還包括：
向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑表面活性劑；
以第五速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。
12.如權(quán)利要求11所述的涂布方法，其特征在于，以第六速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑涂層材料。
13.如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于，所述涂層材料是聚酰亞胺。
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