[發(fā)明專利]開口及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910195636.5 | 申請日： | 2009-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN102024696A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張海洋;孫武;符雅麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 開口 及其 形成 方法 | ||
1.一種開口的形成方法，其特征在于：在形成開口的主刻蝕中動態(tài)調(diào)整三氟甲烷流量和偏置功率，調(diào)節(jié)刻蝕過程中產(chǎn)生聚合物的數(shù)量，所述三氟甲烷的流量逐漸增加，所述偏置功率逐漸降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述主刻蝕包括至少四個階段，在第一個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為1.2至3.4sccm/s；在第二個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為1.2至2.0sccm/s；在第三個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為0.8至2.4sccm/s；在第四個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為0.8至2.2sccm/s。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開口的形成方法，其特征在于，在第一個階段，所述偏置功率的變化速率為-0.6至-4.2W/s；在第二個階段，所述偏置功率的變化速率為-1.2至-2.0W/s；在第三個階段，所述偏置功率的變化速率為-0.8至-2.6W/s；在第四個階段，所述偏置功率的變化速率為-0.3至-2.8Ws。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述主刻蝕包括至少四個階段，在第一個至第四個階段，所述三氟甲烷的流量的增加逐漸降低；在第一個至第四個階段，所述偏置功率的減小逐漸降低。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開口的形成方法，其特征在于，在第一個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為2.8至3.4sccm/s；在第二個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為1.5至2.0sccm/s；在第三個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為0.8至1.2sccm/s；在第四個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為0.8至1.2sccm/s。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開口的形成方法，其特征在于，在第一個階段，所述偏置功率的變化速率為-3.8至-4.2W/s；在第二個階段，所述偏置功率的變化速率為-1.8至-1.2W/s；在第三個階段，所述偏置功率的變化速率為-0.8至-1.2W/s；在第四個階段，所述偏置功率的變化速率為-0.3至-0.6W/s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，所述主刻蝕包括至少四個階段，在第一個至第四個階段，所述三氟甲烷的流量的增加逐漸提高；在第一個至第四個階段，所述偏置功率的減小逐漸提高。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的開口的形成方法，其特征在于，在第一個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為1.2至1.6sccm/s；在第二個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為1.2至1.6sccm/s；在第三個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為1.8至2.2sccm/s；在第四個階段，所述三氟甲烷的流量的變化速率為2.0至2.4sccm/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的開口的形成方法，其特征在于，在第一個階段，所述偏置功率的變化速率為-0.6至-1.0W/s；在第二個階段，所述偏置功率的變化速率為-1.6至-2.0W/s；在第三個階段，所述偏置功率的變化速率為-2.2至-2.6W/s；在第四個階段，所述偏置功率的變化速率為-2.4至-2.8W/s。
10.根據(jù)權(quán)利要求2至9中任一項所述的開口的形成方法，其特征在于，所述第一個階段時間為0至50秒；所述第二個階段時間為50至100秒；所述第三個階段時間為100至150秒；所述第四個階段時間為150至200秒。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的開口的形成方法，其特征在于，形成開口的主刻蝕的氣體還包括：四氟化碳、氧氣和八氟環(huán)丁烷。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的開口的形成方法，其特征在于，所述四氟化碳的流量范圍為50～300sccm；所述氧氣流量范圍為10～100sccm；所述八氟環(huán)丁烷流量范圍為10～100sccm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開口的形成方法，其特征在于，在主刻蝕過程中，所述三氟甲烷流量由0逐漸增加至330～370sccm，所述三氟甲烷流量的增速保持恒定，為1.5～1.9sccm/秒；所述偏置功率由900W降至500～540W，偏置功率的降低速度恒定，為-1.7～-2.1W/秒。
14.一種如權(quán)利要求1至13中任一項所形成的開口。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
