[發(fā)明專利]電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910195634.6
• 申請(qǐng)日: 2009-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN102021625A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫日輝;倪百兵;蔣劍勇;張繼偉;王鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): C25D7/12
• 分類號(hào): C25D7/12;C25D17/00;C25D17/28;C25D21/12;H01L21/288;H01L21/445
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，包括：

機(jī)械手臂，用于晶片的運(yùn)輸；

電鍍槽，用于對(duì)晶片進(jìn)行電鍍；

清洗槽，用于對(duì)電鍍后的晶片進(jìn)行清洗；

其特征在于，還包括控制裝置，用于對(duì)機(jī)械手臂、電鍍槽及清洗槽進(jìn)行控制，且當(dāng)對(duì)晶片進(jìn)行電鍍的電鍍時(shí)間小于清洗時(shí)間時(shí)，控制裝置用于對(duì)晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間進(jìn)行調(diào)整，從而延長晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述延長晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間具體為：使得晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間大于晶片在清洗槽內(nèi)停留的時(shí)間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述延長晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間具體為：使得晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間和晶片在清洗槽內(nèi)停留的時(shí)間趨于相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述控制裝置包括：

執(zhí)行裝置，用于控制機(jī)械手臂、電鍍槽及清洗槽；

判斷裝置，用于根據(jù)所要電鍍形成的金屬層，判斷晶片進(jìn)行電鍍所需的電鍍時(shí)間和清洗時(shí)間的大小關(guān)系；

調(diào)整裝置，當(dāng)所述電鍍時(shí)間小于所述清洗時(shí)間，則向所述執(zhí)行裝置發(fā)送延長電鍍槽停留時(shí)間信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述執(zhí)行裝置在收到延長電鍍槽停留時(shí)間信號(hào)后會(huì)在晶片浸入電鍍槽內(nèi)的電解液之前先讓晶片等待或者空轉(zhuǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，當(dāng)晶片表面待電鍍的金屬層為銅，且厚度為7000埃至8000埃，則清洗時(shí)間為130s至140s，晶片電鍍的時(shí)間為103s至113s，所述晶片在電鍍槽等待或者空轉(zhuǎn)的時(shí)間為25s±12s。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，晶片在電鍍槽內(nèi)停留的時(shí)間比晶片在清洗槽內(nèi)停留的時(shí)間少12s。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述延長電鍍槽停留時(shí)間信號(hào)包括晶片在電鍍槽中停留延長的時(shí)間。

9.一種電化學(xué)電鍍方法，其特征在于，包括步驟：

當(dāng)對(duì)晶片進(jìn)行電鍍的電鍍時(shí)間小于清洗時(shí)間時(shí)，則對(duì)晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間進(jìn)行調(diào)整，從而延長晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間；

利用電鍍槽對(duì)晶片進(jìn)行電鍍；

利用清洗槽對(duì)電鍍后的晶片進(jìn)行清洗。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述延長晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間具體為：使得晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間大于晶片在清洗槽內(nèi)停留的時(shí)間。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電化學(xué)電鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述延長晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間具體為：使得晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間和晶片在清洗槽內(nèi)停留的時(shí)間趨于相等。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電化學(xué)電鍍方法，其特征在于，所述對(duì)晶片在電鍍槽內(nèi)的停留時(shí)間進(jìn)行調(diào)整步驟包括：

對(duì)晶片浸入電鍍槽內(nèi)的電解液之前先讓晶片等待或者空轉(zhuǎn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電化學(xué)電鍍方法，其特征在于，當(dāng)晶片表面待電鍍的金屬層為銅，且厚度為7000埃至8000埃，則清洗時(shí)間為130s至140s，晶片電鍍的時(shí)間為103s至113s，所述晶片在電鍍槽等待或者空轉(zhuǎn)的時(shí)間為25s±12s。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電化學(xué)電鍍方法，其特征在于，晶片在電鍍槽內(nèi)停留的時(shí)間比晶片在清洗槽內(nèi)停留的時(shí)間少12s。