[發明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 200910195631.2
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN102024681A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 高大為;三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311;H01L21/268;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有表面區域的半導體襯底，所述表面區域具有一種或多種雜質，所述一種或多種雜質至少包括碳化物，所述表面區域具有上覆的氧化層；

選擇性地去除所述氧化層，并露出包括所述一種或多種雜質的所述表面區域；

在小于1秒的時間周期內使所述表面區域經受具有范圍從約300納米至約800納米的波長的高能電磁輻射，以使所述表面區域的溫度升高到大于1000攝氏度，以去除設置在所述表面區域上的所述一種或多種雜質；

去除所述高能電磁輻射，在小于1秒的時間周期內使所述表面區域的溫度降低到約300攝氏度至約600攝氏度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一種或多種雜質包括氧化物。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述表面區域經受所述高能電磁輻射時，所述表面區域被保持在氬氣環境下。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，向所述表面區域從表面起至3微米的深度提供高能電磁輻射。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面區域是經蝕刻的區域。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，還包括向所述經蝕刻的區域外延硅鍺材料的步驟。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述上覆的氧化層為本征氧化物。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述高能電磁輻射的特征在于是單一波長的光。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一種或多種雜質包括氯化物。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一種或多種雜質包括氫化物。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，使用閃光燈提供所述高能電磁輻射。

12.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有厚度材料的半導體襯底和設置在所述厚度材料的一部分上的凹陷表面區域，所述凹陷表面區域具有一種或多種雜質，所述一種或多種雜質至少包括碳化物，所述表面區域具有上覆的氧化層；

選擇性地去除所述氧化層并露出包括所述一種或多種雜質的所述凹陷表面區域；

在小于1秒的時間周期內使所述凹陷表面區域經受具有范圍從約300納米至約800納米的波長的高能電磁輻射工藝，以使所述凹陷表面區域的溫度升高到大于1000攝氏度，以去除設置在所述凹陷表面區域上的所述一種或多種雜質；

去除所述高能電磁輻射，在小于1秒的時間周期內使所述凹陷表面區域的溫度降低到約300攝氏度至約600攝氏度。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述一種或多種雜質包括氧化物。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，在所述高能電磁輻射工藝期間，所述凹陷表面區域被保持在氬氣環境下。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，向所述凹陷表面區域從表面起至3微米的深度提供高能電磁輻射。

16.根據權利要求12所述的方法，其中，所述凹陷表面區域是經蝕刻的區域。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，還包括向所述經蝕刻的區域外延硅鍺材料的步驟。

18.根據權利要求12所述的方法，其中，所述上覆的氧化層為本征氧化物。

19.根據權利要求12所述的方法，其中，所述高能電磁輻射工藝的特征在于單一波長的光。

20.根據權利要求12所述的方法，其中，所述一種或多種雜質包括氯化物。

21.根據權利要求12所述的方法，其中，所述一種或多種雜質包括氫化物。

22.根據權利要求12所述的方法，其中，使用閃光燈提供所述高能電磁輻射。