[發明專利]一種提高曝光條件準確性的量測結構

無效

• 申請號: 200910195030.1
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN102004397A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 胡俊;張辰明;楊耀華;劉志成
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種提高曝光條件準確性的量測結構，其包括主圖形，其特征在于，所述量測結構還包括位于主圖形旁側的啞元圖形，且所述主圖形與啞元圖形組成的量測結構整體圖形密度與芯片內部器件區域的圖形密度相近。

2.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述主圖形為位于切割道內的量測圖形，用以確定整片晶圓的光刻曝光條件。

3.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述主圖形特征尺寸與芯片內部器件區域圖形的特征尺寸基本一致。

4.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述啞元圖形為正方形結構，其特征尺寸及圖形密度取決于芯片內部器件區域的圖形密度。

5.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述啞元圖形為長方形結構，其特征尺寸及圖形密度取決于芯片內部器件區域的圖形密度。

6.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述主圖形的圖形密度小于芯片內部器件區域的圖形密度，所述啞元圖形的圖形密度大于芯片內部器件區域的圖形密度。

7.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述主圖形和啞元圖形均為凹陷的溝槽結構，芯片內部器件區域圖形也為凹陷的溝槽結構，且所述主圖形與啞元圖形的深度與芯片內部器件區域圖形的溝槽深度基本一致。

8.根據權利要求1所述的提高曝光條件準確性的量測結構，其特征在于，所述主圖形和啞元圖形均為凸起的線條結構，芯片內部器件區域圖形也為凸起的線條結構，且所述主圖形與啞元圖形的高度與芯片內部器件區域圖形的凸起高度基本一致。