[發明專利]構造浮柵的方法

有效

• 申請號: 200910195016.1
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN102005376A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 王友臻;周儒領
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 謝安昆;宋志強

1.一種構造浮柵的方法，包括：

在晶圓的硅基底上表面沉積氧化硅薄膜，在氧化硅薄膜上再沉積一層氮化硅薄膜；

通過淺溝槽STI光刻過程，在晶圓上定義出淺溝槽；

在所述淺溝槽中沉積溝槽氧化物；經由一步溝槽氧化物平坦化后，進行移除氮化硅的處理，在原先氮化硅所在的位置形成了空位；

進行浮柵沉積過程，在所述空位處沉積多晶硅；進行浮柵多晶硅平坦化處理過程，浮柵多晶硅平坦化處理自動停止在溝槽氧化物層，使填充在不同空位中的多晶硅彼此徹底分離；

其特征在于，在所述浮柵多晶硅平坦化處理過程之后包括如下步驟：

對溝槽氧化物進行消退蝕刻預處理；

對所述多晶硅進行選擇性蝕刻過程，使浮柵厚度減薄到目標厚度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述目標厚度為100埃至300埃。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對溝槽氧化物進行消退蝕刻預處理的步驟中，氧化硅的消退深度為后續多晶硅進行選擇性蝕刻過程中多晶硅厚度減少量的70％到100％。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶圓進行STI沉積之后，以及進行移除氮化硅的處理之前，進一步包括：對晶圓進行STI平坦化處理。