[發明專利]提高芯片鍵合塊抗腐蝕性的方法

有效

• 申請號: 200910194850.9
• 申請日: 2009-08-31
• 公開（公告）號: CN102005397A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 潘晶;卑多慧
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/321
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種提高芯片鍵合塊抗腐蝕性的方法，該方法包括：

在芯片鍵合塊形成后，在溫度大于270℃的狀態下通入氧化性氣體，在芯片鍵合塊表層形成金屬氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片鍵合塊形成的方法包括：

刻蝕互連層的頂層介質層形成一用于形成芯片鍵合塊的開口；

在頂層介質層表面和開口內進行金屬沉積獲得一金屬沉積層；

根據芯片鍵合塊的形狀和位置、金屬引線的尺寸和位置對金屬沉積層刻蝕，形成金屬引線及與金屬引線連接的芯片鍵合塊。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述芯片鍵合塊形成后進一步包括：

利用化學氣相沉積在金屬引線表面、芯片鍵合塊表面和未被金屬引線和芯片鍵合塊覆蓋的頂層介質層表面形成鈍化層；

刻蝕芯片鍵合塊表面的鈍化層，并對刻蝕后具有芯片鍵合塊的器件進行退火處理。

4.根據權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化性氣體為氧氣、一氧化二氮和水蒸氣中的一種或多種組合。

5.根據權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化層為三氧化二鋁金屬氧化層。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述溫度大于270℃的狀態為利用化學氣相沉積形成鈍化層的狀態。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述溫度大于270℃的狀態為刻蝕芯片鍵合塊表面的鈍化層后進行的退火狀態。