[發明專利]一種GaN基發光二極管及其制造方法無效
| 申請號： | 200910194799.1 | 申請日： | 2009-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN102005512A | 公開（公告）日： | 2011-04-06 |
| 發明（設計）人： | 李剛;劉慰華;丁成;張義穎 | 申請（專利權）人： | 上海藍寶光電材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人： | 徐申民;呂靜姝 |
| 地址： | 201616*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 發光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種GaN基發光二極管的制造方法，該方法包括：在襯底上依次形成本征氮化鎵層、n型氮化鎵層、n型氮化鎵銦層、發光層、p型氮化鎵鋁層和第一p型氮化鎵層，其特征在于，該方法還包括：
在所述第一p型氮化鎵層上形成異質預處理層；和
在所述異質預處理層上形成第二p型氮化鎵層。
2.如權利要求1所述的GaN基發光二極管的制造方法，其特征在于，所述異質預處理層是在預定的溫度范圍內以化學氣相沉積的方式形成的；并且所述異質預處理層的厚度為1至2埃。
3.如權利要求2所述的GaN基發光二極管的制造方法，其特征在于，形成所述異質預處理層的原料為硅烷、二環戊基鎂、二甲基鋅中的一種或者兩種的組合。
4.如權利要求1所述的GaN基發光二極管的制造方法，其特征在于，所述第二p型氮化鎵層的與所述異質預處理層所在側相反一側的表面具有多個凸起；其中
所述多個凸起的上端中的一部分不尖銳。
5.如權利要求1所述的GaN基發光二極管的制造方法，其特征在于，所述第二p型氮化鎵層是在預定的溫度范圍內以化學氣相沉積的方式形成的。
6.一種GaN基發光二極管，包括襯底、本征氮化鎵層、n型氮化鎵層、n型氮化鎵銦層、發光層、p型氮化鎵鋁層和第一p型氮化鎵層，其特征在于，該GaN基發光二極管還包括：
形成在所述第一p型氮化鎵層上的異質預處理層；和
形成在所述異質預處理層上的第二p型氮化鎵層。
7.如權利要求6所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述異質預處理層是在預定的溫度范圍內以化學氣相沉積的方式形成的；并且所述異質預處理層的厚度為1至2埃。
8.如權利要求7所述的GaN基發光二極管，其特征在于，形成所述異質預處理層的原料為硅烷、二環戊基鎂、二甲基鋅中的一種或者兩種的組合。
9.如權利要求6所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述第二p型氮化鎵層的與所述異質預處理層所在側相反一側的表面具有多個凸起；其中
所述多個凸起中的一部分的上端不尖銳。
10.如權利要求6所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述第二p型氮化鎵層是在預定的溫度范圍內以化學氣相沉積的方式形成的。
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