[發明專利]失效檢測方法以及失效檢測裝置

有效

• 申請號: 200910194791.5
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN102005400A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 龔斌;郭強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/00;G01R31/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種失效檢測方法，用于檢測兩個待測導電體之間的橋接缺陷，其特征在于，包括以下步驟：

在兩個待測導電體上各設置一個輸出端，且所述兩個輸出端電勢位相等；

向任一所述待測導電體上沿預定路徑排列的檢測點依次輸入恒定的檢測電流；

檢測所述兩個輸出端的輸出電流，基于各檢測點的位置信息以及所述兩個輸出端的輸出電流信息，建立輸出端的輸出結果與檢測點位置之間的對應關系；

根據所述對應關系判定檢測點是否存在缺陷。

2.如權利要求1所述的失效檢測方法，其特征在于，使用帶電粒子束照射檢測點作為檢測電流源，所述帶電粒子束為電子束或者離子束。

3.如權利要求1所述的失效檢測方法，其特征在于，判定檢測點是否存在缺陷標準為：在所述對應關系中，若某一檢測點對應的任一輸出端的輸出結果相對于相鄰檢測點存在變化，則該檢測點或其鄰界范圍存在缺陷。

4.如權利要求3所述的失效檢測方法，其特征在于，所述輸出結果為任一輸出端的輸出電流或者輸出電流變化率對應檢測點位置的變化關系。

5.如權利要求3所述的失效檢測方法，其特征在于，所述輸出結果為兩端的輸出電流的差值或者差值變化率對應檢測點位置的變化關系。

6.如權利要求1所述的失效檢測方法，其特征在于，所述兩個待測導電體為半導體器件中的金屬互連線。

7.一種失效檢測裝置，用于檢測兩個待測導電體之間的橋接缺陷，所述兩個待測導電體上各設置一個輸出端，且所述兩個輸出端電勢位相等，其特征在于，包括：

檢測電流輸入模塊，用于向任一所述待測導電體上沿預定路徑排列的檢測點依次輸入檢測電流；

輸出電流檢測模塊，用于檢測所述兩個輸出端的輸出電流；

分析模塊，基于各檢測點的位置信息以及所述兩個輸出端的輸出電流信息，建立輸出端的輸出結果與檢測點位置的對應關系，對所述兩個待測導電體進行失效檢測。

8.如權利要求7所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述檢測電流輸入模塊包括帶電粒子束發生器，用于產生帶電粒子束照射任一待測導電體，所述帶電粒子束為電子束或者離子束。

9.如權利要求8所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述檢測電流輸入模塊還包括移動子模塊，用于改變帶電粒子束發生器在待測導電體上的照射位置。

10.如權利要求7所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述輸出電流檢測模塊包括電流計，所述電流計連接待測導電體的輸出端。

11.如權利要求7所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述分析模塊的失效檢測標準為：在所述對應關系中，若某一檢測點對應的任一輸出端的輸出結果相對于相鄰檢測點存在變化，則該檢測點或其鄰界范圍存在缺陷。

12.如權利要求11所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述輸出結果為任一輸出端的輸出電流或者輸出電流變化率對應檢測點位置的變化關系。

13.如權利要求11所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述輸出結果為兩端的輸出電流的差值或者差值變化率對應檢測點位置的變化關系。

14.如權利要求7所述的失效檢測裝置，其特征在于，所述兩個待測導電體為半導體器件中的金屬互連線。