[發明專利]清除金屬氧化物與制備互連層的方法

無效

• 申請號: 200910194783.0
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN102005406A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 王琪;周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/321
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種清除金屬氧化物的方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有金屬層，所述金屬層上形成有金屬氧化物；

其特征在于，還包括以下步驟：通入第一氣體，清除所述金屬層和層間絕緣層上的金屬氧化物，所述第一氣體具有還原性。

2.如權利要求1所述的清除金屬氧化物的方法，其特征在于，所述第一氣體是氫氣或甲酸氣體。

3.如權利要求2所述的清除金屬氧化物的方法，其特征在于，所述第一氣體為氫氣，所述氫氣的流量為900sccm～1100sccm；壓強為4托～6托；第一功率為400W～600W；第二功率為80W～120W；時間為15S～25S。

4.如權利要求1～3中任一項權利要求所述的清除金屬氧化物的方法，其特征在于，通入第一氣體步驟后，還包括以下步驟：通入第二氣體，清洗所述金屬層和所述層間絕緣層。

5.如權利要求4所述的清除金屬氧化物的方法，其特征在于，所述第二氣體是氮氣、氬氣或氦氣。

6.如權利要求5所述的清除金屬氧化物的方法，其特征在于，所述第二氣體的流量為2500sccm～3500sccm；壓強為9托～11托；時間為25S～35S。

7.如權利要求4所述的清除金屬氧化物的方法，其特征在于，通入第二氣體步驟后，還包括以下步驟：通入氨氣，清除金屬層和層間絕緣層上的雜質。

8.一種制備互連層的方法，包括以下步驟：

提供形成有層間絕緣層的半導體襯底，所述層間絕緣層上形成開口并填充有金屬，形成金屬層；

對所述金屬層進行化學機械拋光；

通入第一氣體，清除所述金屬層和所述層間絕緣層上的金屬氧化物，所述第一氣體具有還原性；

在所述金屬層和所述層間絕緣層上形成阻擋層。

9.如權利要求8所述的制備互連層的方法，其特征在于，所述第一氣體是氫氣或甲酸氣體。

10.如權利要求9所述的制備互連層的方法，其特征在于，所述第一氣體為氫氣，所述氫氣的流量為900sccm～1100sccm；壓強為4托～6托；第一功率為400W～600W；第二功率為80W～120W；時間為15S～25S。

11.如權利要求8～10任一權利要求所述的制備互連層的方法，其特征在于，通入第一氣體步驟后，還包括以下步驟：通入第二氣體，清洗所述金屬層和所述層間絕緣層。

12.如權利要求11所述的制備互連層的方法，其特征在于，所述第二氣體是氮氣、氬氣或氦氣。

13.如權利要求12所述的制備互連層的方法，其特征在于，所述第二氣體的流量為2500sccm～3500sccm；壓強為9托～11托；時間為25S～35S。

14.如權利要求12所述的制備互連層的方法，其特征在于，通入第二氣體步驟后，還包括以下步驟：通入氨氣，清除金屬層和層間絕緣層上的雜質。