[發(fā)明專利]金屬插塞的制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910194622.1 | 申請(qǐng)日： | 2009-08-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101996939A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 牛孝昊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/768 | 分類號(hào)： | H01L21/768;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址： | 20120*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 制作方法 | ||
1.一種金屬插塞的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：
首先提供具有互連層的半導(dǎo)體晶圓，
在晶圓上依次形成介電層、隔離層和保護(hù)層，其中保護(hù)層的材料為氮化硅；
刻蝕保護(hù)層、隔離層和介電層形成出露互連層的開口；
在所述開口內(nèi)以及保護(hù)層上沉積金屬層；
平坦化金屬層以及將保護(hù)層、隔離層去除，形成金屬插塞。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為1000至2000埃。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為1000埃。
4.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述介電層和隔離層都采用物理氣相沉積方法形成。
5.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述形成保護(hù)層采用的工藝參數(shù)為化學(xué)氣相沉積。
6.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述介電層采用的材料為氧化硅，厚度為2500至3500埃。
7.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述隔離層采用的材料為正硅酸乙酯，厚度為450埃至500埃。
8.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，在沉積所述金屬層前沉積阻擋層，阻擋層材料采用氮化鉭、氮化鈦、鈦或鉭中的一種或者混合物，阻擋層厚度為90～150埃。
9.如權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述平坦化金屬層以及將保護(hù)層、隔離層去除為采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
