[發明專利]SCR靜電保護器件

無效

• 申請號: 200910194585.4
• 申請日: 2009-08-25
• 公開（公告）號: CN101640200A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 胡劍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/60
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種SCR靜電保護器件，其特征在于所述器件包括：

第一P阱和第一N阱，位于襯底內，所述第一P阱和所述第一N阱相連；

深N阱，位于所述襯底內，且位于所述第一N阱下方，和所述第一N阱相連；

第二N阱，位于所述第一P阱內，且將所述第一P阱分成兩部分；

第二P阱，位于所述第一N阱內，且將所述第一N阱分成兩部分。

2.根據權利要求1所述的SCR靜電保護器件，其特征在于所述襯底為P型襯底。

3.根據權利要求1所述的SCR靜電保護器件，其特征在于所述第二N阱將所述第一P阱分成第一部分和第二部分，所述第二P阱將所述第一N阱分成第一部分和第二部分，其中所述第一P阱的第二部分和所述第一N阱的第一部分相鄰。

4.根據權利要求3所述的SCR靜電保護器件，其特征在于所述器件還包括：

第一P⁺擴散層和第一N⁺擴散層，分別位于所述第一P阱的第一部分和第二部分表面，其中所述第一N⁺擴散層和所述第二N阱相連；

第二N⁺擴散層和第二P⁺擴散層，分別位于所述第一N阱的第一部分和第二部分表面，其中所述第二P⁺擴散層和所述第二P阱相連。

5.根據權利要求4所述的SCR靜電保護器件，其特征在于所述第一P⁺擴散層和所述第一N⁺擴散層連接陰極，所述第二P⁺擴散層和所述第二N⁺擴散層連接陽極。

6.根據權利要求1所述的SCR靜電保護器件，其特征在于所述器件應用于觸發電壓為10伏特至100伏特的半導體靜電保護電路中。