[發(fā)明專利]檢測半導體器件的測試結構的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910194575.0 | 申請日： | 2009-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN101996910A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蘇鳳蓮 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/02;G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 半導體器件 測試 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種檢測半導體器件的測試結構的方法，適用于定位槽取向為<100>方向的半導體器件，包括：
在定位槽取向為<100>方向的半導體器件上生長測試結構，生長的測試結構和該半導體器件的布線方向的夾角成45度；
對該半導體器件采用機械方式進行裂片，得到劈裂面；
對劈裂面采用SEM進行檢測，得到檢測數據。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述生長的測試結構和該半導體器件的布線方向的夾角成45度為：
沿該半導體器件的布線方向順時針旋轉45度或逆時針旋轉45度，生長測試結構。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
