[發(fā)明專利]一種射頻功率放大器高低功率合成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910192107.X | 申請日： | 2009-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN101656515A | 公開（公告）日： | 2010-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭鳳雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 惠州市正源微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/189 | 分類號： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516006廣東省惠*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 射頻 功率放大器 高低 功率 合成 電路 | ||
1.射頻功率放大器高低功率合成電路，包括控制電路和受控于控制電路的功率放大器PA1和PA2，其特征在于：所述功率放大器PA1和PA2輸入端均與一采用共射共基結(jié)構(gòu)連接且同樣受控于控制電路的三極管放大電路連接；
所述三極管放大電路包括三極管Q2、Q3，所述三極管Q2、Q3集電極分別連接功率放大器PA1和PA2輸入端，并分別通過電感L1、L2連接電源VCC1、VCC2；三極管Q2、Q3射極相連并通過三極管Q1集電極、Q1的發(fā)射極接地，所述三極管Q1基極與輸入信號連接；三極管Q2、Q3基極分別通過電阻連接控制電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器高低功率合成電路，其特征在于，所述三極管Q2、Q3基極還分別通過電容接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的射頻功率放大器高低功率合成電路，其特征在于，所述三極管Q2、Q3集電極與功率放大器PA1和PA2輸入端之間分別連接有第二、第四匹配網(wǎng)絡(luò)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻功率放大器高低功率合成電路，其特征在于，所述輸入信號通過第一匹配網(wǎng)絡(luò)連接三極管Q1基極。
5.射頻功率放大器高低功率合成電路，包括控制電路和受控于控制電路的功率放大器PA1和PA2，其特征在于：所述功率放大器PA1和PA2輸入端均與一采用共源共柵結(jié)構(gòu)連接且同樣受控于控制電路的MOS管放大電路連接；
所述MOS放大電路包括MOS管M2、M3，所述MOS管M2、M3漏極分別連接功率放大器PA1和PA2輸入端，并分別通過電感L1、L2連接電源VCC1、VCC2；MOS管M2、M3源極相連并通過MOS管M1漏極、M1的源極接地，所述MOS管M1柵極與輸入信號連接；MOS管M2、M3柵極分別通過電阻連接控制電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻功率放大器高低功率合成電路，其特征在于，所述MOS管M2、M3柵極還分別通過電容接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的射頻功率放大器高低功率合成電路，其特征在于，所述所述MOS管M2、M3漏極與功率放大器PA1和PA2輸入端之間分別連接有第二、第四匹配網(wǎng)絡(luò)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的射頻功率放大器高低功率合成電路，其特征在于，所述輸入信號通過第一匹配網(wǎng)絡(luò)連接MOS管柵極。
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