[發明專利]一種抗性處理提高齒瓣石斛試管苗移栽成活率的方法

無效

• 申請號: 200910191212.1
• 申請日: 2009-10-26
• 公開（公告）號: CN101695282A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發明（設計）人: 蔣渝;明興加;鐘國躍;秦松云;王昌華;孫年喜
• 申請（專利權）人: 重慶市中藥研究院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 重慶市恒信知識產權代理有限公司 50102
• 代理人: 侯懋琪

技術領域

本發明涉及一種提高齒瓣石斛移栽成活率的方法，更具體的說涉及一種抗性處理提高齒瓣石斛試管苗移栽成活率的方法。

技術背景

石斛屬(Dendrobium)是蘭科第二大屬，全球約有1500種，我國有74種2個變種，其中可供藥用的有40多種，主要分布于我國的華南和西南地區。其中，主要有鐵皮石斛，紫皮石斛，金釵石斛，齒瓣石斛、霍山石斛，密花石斛；石斛為名貴中藥材，在我國有悠久的歷史，藥用始載于《神農本草經》，列為上品，“味甘，平。主傷中，除痹，下氣，補五臟虛勞贏瘦，強陰。久服厚腸胃，輕身延年?！逼溆行С煞种饕鞘鷫A和多糖，目前廣泛用于加工成保健品、藥品及石斛湯、石斛酒等飲品。藥用植物栽培是保護、擴大、再生利用藥用植物資源的最直接、有效的手段。石斛屬植物對生態條件的要求較高，栽培難度大，其栽培面積和規模受到很大限制。通過在栽培的過程中進行煉苗是一種有效的提高種苗存活率的方法。中國專利申請(200810195801.2)公開了一種鐵皮石斛組培實生苗的煉苗方法，其主要是在組培的瓶苗分別在瓶蓋密封時、松蓋時、揭蓋、分別光照由若到強煉苗；并且在移栽是光照由弱到強、濕度由大到小煉苗；上述專利期望通過煉苗達到提高鐵皮石斛抗性的目的；但是效果并不理想。

發明內容

本發明提供了一種抗性處理提高齒瓣石斛試管苗移栽成活率的方法，該方法包括以下步驟：

1)配制生根培養基：在基本培養基加入香蕉提取液和蔗糖，香蕉提取液在生根培養基中的重量百分比為15～30％，蔗糖在生根培養基中的重量百分比為1.5～3％；每L培養基加入激素0.1～1.0mg、瓊脂2～4g，調pH5.6～6.0，得到生根培養基；

2)前期培養：試管苗有3～5條根、根長度＞2cm、植株高度＞3cm時移栽到生根培養基上。

3)抗性處理：將移栽到生根培養基上的試管苗置于可控溫的環境中，升溫至40～50℃或降溫至2～8℃，培養24～48小時；

4)后期培育：將試管苗移栽到培養室大棚里培養20～40天，觀察植株的變化，判斷是否達到抗性處理標準，未達到移栽標準則重復進行抗性處理；

5)幼苗移栽至苗床。

步驟1)所述的基本培養基為MS、1/2MS、N₆、KC、KS或SH中的一種。

步驟1)所述的激素為NAA或IAA的一種。

步驟4)所述的判斷是否達到抗性處理標準為：期間觀察，植株是否減緩伸長生長并莖條長粗，若是則已達到處理標準；若仍保持旺盛的生長，則需要重新進行處理。保證培育20天后，莖條變粗，部分葉片變黃或脫落為正?，F象。

步驟5)所述的苗床為床高10～15厘米、床寬1～1.2米、支架0.8～1.0米，苗床上的底料為木材加工的邊皮廢料或石棉瓦為下層，上層為碎樹皮鋪墊，厚度為5～10厘米。

本發明的有益技術效果：本發明通過植株在極端溫度條件下，降低植株的生長代謝速度，促進莖干的纖維化，增強強植株對環境的適應能力；使其在人工創造的逆境下盡快莖條膨大，葉片脫落，抗性增強，進而提高移栽成活率，為一種較為簡單的抗性處理工藝，可操作性強，成本較低。

具體實施方式

增殖培養基的制備：在1L的KC加入1毫克NAA，制成固體培養基。

生根培養基的制備：在MS加入香蕉提取液和蔗糖，香蕉提取液濃度為15～30％，蔗糖濃度為1.5～3％；每L培養基加入NAA0.1～1.0mg、瓊脂2～4g，調pH5.6～6.0制成升根培養基。

苗床的制備：利用木材加工的邊皮廢料或石棉瓦作底，做成床高10～15厘米、床寬1～1.2米、床長因地而定、支架0.8～1.0米的種植床。以碎樹皮作為基質鋪于苗床上，厚度5～10厘米。碎樹皮在使用前最好選用高溫或藥物消毒。

外植體的采集與滅菌，其操作步驟為：

1)選擇生長健壯的3cm～6cm長的新芽作外植體。

2)用消了毒的利刃將新芽從從母體切下。

3)經自來水沖洗30分鐘后，剝去最外面一層葉鞘，在75％的酒精中迅速蘸一下，立即放入15％次氯酸鈉溶液中浸泡15分鐘，或放入0.1％的升汞溶液中8～10分鐘，并不時用手輕搖。

4)取出后再剝去多余的組織，再放入5％次氯酸鈉溶液中浸泡5～10分鐘，取出后用無菌水沖洗數次，然后在無菌條件下剝去葉苞片，以頂芽或側芽作為外植體接種于裝有增殖培養基的試管中進行增殖培養。

待到試管苗有3～5條根、根長度＞2cm、植株高度＞3cm時移栽到生根培養基上。