[發明專利]LED照明高效散熱鋁基板、LED光源及二者的制造方法

無效

• 申請號: 200910190626.2
• 申請日: 2009-09-27
• 公開（公告）號: CN101709858A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 吳俊緯
• 申請（專利權）人: 廣州南科集成電子有限公司
• 主分類號: F21V29/00
• 分類號: F21V29/00;F21V23/00;F21V15/02;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種LED照明高效散熱鋁基板以及包括該LED照明高效散 熱鋁基板的LED光源；另外，本發明還涉及該LED照明高效散熱鋁基板及 該LED光源的制造方法。

背景技術

將多個LED芯片集成在一個線路板上稱為集成芯片，LED集成芯片正越 來越廣泛地應用到LED照明光源中。LED集成芯片中常用到鋁基板，現有的 LED照明鋁基板一般以鋁底板作為襯底，在襯底上面涂覆樹脂類材料作為絕 緣層，再在絕緣層上覆蓋銅箔作為導電層。由于其絕緣層能耐高壓(＞ 1500V/min)及襯底散熱性較佳，所以被廣泛應用在LED光源領域。其應用 方式為在鋁底板上按照傳統單層印刷線路板的制造方式將銅箔用絲網印刷及 蝕刻方式形成電路，再將防焊層覆蓋在鋁底板上，僅裸露出需要焊接部位的 銅箔即成。這種采用傳統方式制造的鋁基板，由于其使用工藝精度較差，難 以精確控制導熱絕緣層的厚度，為了保證其耐壓性能，必須對絕緣層的厚度 留有較大余量，一般絕緣層的厚度在80～100μm，因此絕緣層的厚度較大， 而樹脂的導熱系數較小，因此其導熱及散熱效果大大降低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種成本低、 工藝簡單、散熱效果好的LED照明高效散熱鋁基板及其制造方法。

另外，本發明還提供一種包括所述LED照明高效散熱鋁基板的LED光 源及其制造方法。

本發明的LED照明高效散熱鋁基板所采用的技術方案是：本發明的LED 照明高效散熱鋁基板包括鋁底板，所述鋁底板的上、下表面均附著有一層氧 化鋁導熱絕緣層，所述鋁底板的上表面附著的所述氧化鋁導熱絕緣層上沉積 有鋁層形成導電金屬層，所述導電金屬層蝕刻后形成LED芯片的底座及構成 電路連線，所述導電金屬層上除焊點、芯片及打線預留位置外的其余部分覆 有防焊層。

在所述氧化鋁導熱絕緣層與所述導電金屬層之間設有高阻值多晶硅阻擋 層。

所述氧化鋁導熱絕緣層的厚度為0.1～50μm，所述氧化鋁導熱絕緣層上 沉積的鋁層厚度為2～5μm。

本發明的LED照明高效散熱鋁基板的制造方法所采用的技術方案是：本 發明的LED照明高效散熱鋁基板的制造方法包括以下步驟：

(a)鋁底板預處理：將所述鋁底板在濃硫酸中清洗，去除所述鋁底板的 表面的油污及雜質，然后用含有磷酸、醋酸、硝酸的腐蝕液進行表面化學拋 光，再用去離子水清洗干凈；

(b)形成氧化鋁導熱絕緣層：將清洗干凈的所述鋁底板進行電化學陽極 處理，使所述鋁底板的上、下表面均附著有一層厚度為0.1～50μm的氧化鋁 導熱絕緣層；

(c)形成導電金屬層：在經過陽極處理的所述鋁底板的上表面附著的所 述氧化鋁導熱絕緣層上以濺射方式沉積厚度為2～5μm鋁層，形成所述導電 金屬層；然后在帶所述導電金屬層的所述鋁底板上涂上光刻膠，再在光刻機 上利用金屬光刻掩模版進行光刻，再經顯影形成導電金屬層的圖形，或者， 采用絲網印刷的方法直接形成導電金屬層的圖形；經烘烤固化后，再用濕法 蝕刻工藝對所述鋁層進行蝕刻，蝕刻后剩余的所述鋁層形成所述LED芯片的 底座及構成所述電路連線；

(d)合金化：在300～450℃溫度下，將上述形成所述LED芯片的底座 及構成所述電路連線的所述導電金屬層在氮氣或含氫氣的環境下加以合金 化；

(e)形成防焊層：在形成所述LED芯片的底座及構成所述電路連線的 所述鋁底板上采用絲網印刷的方法涂覆防焊材料，形成防焊層的圖形；再在 高溫下烘烤固化所述防焊材料，形成所述防焊層。

進一步，在所述步驟(b)與所述步驟(c)之間還包括如下步驟：

(b1)形成阻擋層：在經過陽極處理的所述鋁底板的上表面附著的所 述氧化鋁導熱絕緣層上以濺射方式沉積厚度為0.1～5μm的高阻值多晶硅， 所述高阻值多晶硅形成阻擋層。