[發明專利]有機發光器件及其光抽取結構的制作方法有效
| 申請號: | 200910190594.6 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN101694868A | 公開(公告)日: | 2010-04-14 |
| 發明(設計)人: | 劉萍;陳文彬 | 申請(專利權)人: | 深圳丹邦投資集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 器件 及其 抽取 結構 制作方法 | ||
1.一種有機發光器件,包括基板、位于所述基板上的透明陽極、位于所述透明陽 極上的有機空穴傳輸層、位于所述有機空穴傳輸層上的發光層及電子傳輸層、陰極; 其特征在于:所述基板采用單晶釔鋁石榴石,其折射率為1.83-1.87,熱導率為 0.11W/cm·K,所述基板的背向所述透明陽極的表面上形成有可消除基板-空氣界面的全 反射的光抽取結構,光抽取結構為通過以下步驟對基板表面進行刻蝕處理得到的微刻 面結構:a.在基板表面上采用磁控濺射或等離子體化學氣相沉積法制作二氧化硅或氮化 硅掩蔽層,在基板一側表面的掩蔽層上采用光刻的方法形成圖案,基板的位于掩蔽層 被保留部分的下方的表面被遮蔽、其余部分暴露;b.將85%的磷酸加熱到150-170℃ 脫水10分鐘,再與98%硫酸按3∶1的比例混合,緩慢升溫到190-300℃,得到刻蝕液; c.將基板放入步驟b得到的刻蝕液中進行刻蝕,刻蝕后取出基板并在冷硫酸中降溫,然 后用去離子水沖洗基板,用氫氟酸除去掩蔽層;這些微刻面結構的單元尺寸范圍在 1μm-20μm之間,各個刻面圍成規則的倒錐體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





