[發明專利]金剛石薄膜的生長裝置

有效

• 申請號: 200910190151.7
• 申請日: 2009-09-04
• 公開（公告）號: CN102011101A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 楊遠超;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金剛石薄膜生長裝置，其包括：

一反應室，該反應室包括一進氣口、一出氣口；

一抽真空裝置，該抽真空裝置通過所述出氣口與所述反應室相連，用于對反應室抽真空；

一底座，該底座設置于所述反應室內，且與所述進氣口相對設置；

一熱絲裝置、該熱絲裝置設置于所述反應室內，且位于所述進氣口及所述底座之間；

其特征在于，該熱絲裝置包括至少一個加熱絲，該加熱絲為碳納米管線，該碳納米管線包括多個碳納米管。

2.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述碳納米管線包括多個首尾相連且定向排列的碳納米管，該多個碳納米管通過范德華力結合。

3.如權利要求2所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述碳納米管為多壁碳納米管、單壁碳納米管中的一種或兩種。

4.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述碳納米管線包括多個繞碳納米管線軸向螺旋排列的碳納米管。

5.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述碳納米管線包括多個沿碳納米管線軸向方向排列的碳納米管。

6.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述碳納米管線的表面的部分碳納米管的一端遠離該碳納米管線，并且與該碳納米管線的軸向方向成一定角度。

7.如權利要求6所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述碳納米管線表面的碳納米管的遠離碳納米管線的一端指向所述底座。

8.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述熱絲裝置與所述底座之間的距離為5毫米～15毫米。

9.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述熱絲裝置包括多個串聯或并聯的加熱絲。

10.如權利要求1所述的金剛石薄膜生長裝置，其特征在于，所述金剛石薄膜生長裝置進一步包括一第一電極和一第二電極，該第一電極和第二電極設置于所述反應室內并與所述熱絲裝置電連接。