[發(fā)明專利]一種反向電壓保護(hù)電路及功率管裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910189760.0
• 申請(qǐng)日: 2009-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101997305A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁仁光;胡勝發(fā)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安凱（廣州）微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/00
• 分類號(hào): H02H9/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述反向電壓保護(hù)電路包括：

第一MOS管，其柵極連接偏置電壓；

第二MOS管，其柵極連接電源，所述第二MOS管的源極連接至所述第一MOS管的漏極，所述第二MOS管的漏極接地；將所述第二MOS管的源極與所述第一MOS管的漏極連接的連接端作為第一連接端；

第三MOS管，其柵極連接至所述第一連接端，所述第三MOS管的源極連接至電源；

反相器，其輸入端連接至所述第一連接端；

第四MOS管，其柵極連接至所述反相器的輸出端，所述第四MOS管的源極連接至所述第三MOS管的漏極；將所述第三MOS管的漏極與所述第四MOS管的源極連接的連接端作為第三連接端；

第五MOS管，其柵極連接至所述反相器的輸出端，所述第五MOS管的源極連接至所述第四MOS管的漏極；所述第五MOS管的寄生二極管連接在源極與襯底之間；所述第五MOS管的襯底還連接至所述第三連接端；將所述第五MOS管的源極與所述第四MOS管的漏極連接的連接端作為第四連接端；

開(kāi)關(guān)模塊，其第一輸入端連接至所述第一連接端，所述開(kāi)關(guān)模塊的第二輸入端連接至所述反相器的輸出端，所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端接收控制信號(hào)，所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端連接主功率管的柵極，所述開(kāi)關(guān)模塊根據(jù)所述控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述主功率管工作；所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端與所述主功率管的柵極連接的連接端還連接至所述第五MOS管的漏極；

主功率管的襯底連接至所述第三連接端；主功率管的第一寄生二極管連接在漏極與襯底之間，主功率管的第二寄生二極管連接在源極與襯底之間；

所述第一MOS管的源極以及所述第四連接端分別連接至所述主功率管的漏極；通過(guò)所述第三連接端的電壓輸出關(guān)斷信號(hào)對(duì)主功率管進(jìn)行保護(hù)。

2.如權(quán)利要求1所述的反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述反相器進(jìn)一步包括：

第六MOS管，其柵極連接至所述第一連接端，所述第六MOS管的源極連接電源；以及

第七M(jìn)OS管，其柵極連接至所述第一連接端，所述第七M(jìn)OS管的源極連接至所述第六MOS管的漏極，所述第七M(jìn)OS管的漏極接地。

3.如權(quán)利要求2所述的反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第六MOS管為PMOS管，所述第七M(jìn)OS管為NMOS管。

4.如權(quán)利要求1所述的反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)模塊進(jìn)一步包括：

第八MOS管以及第九MOS管；

所述第八MOS管的柵極連接至所述反相器的輸出端；所述第九MOS管的柵極連接至所述第一連接端；所述第八MOS管的源極與所述第九MOS管的源極連接后作為所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端；所述第八MOS管的漏極與所述第九MOS管的漏極連接后再連接至所述主功率管的柵極；所述第八MOS管的襯底接地；所述第九MOS管的襯底連接至所述第五MOS管的襯底。

5.如權(quán)利要求4所述的反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第八MOS管為NMOS管，所述第九MOS管為PMOS管。

6.如權(quán)利要求1所述的反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管均為PMOS管。

7.如權(quán)利要求1所述的反向電壓保護(hù)電路，其特征在于，所述第二MOS管為NMOS管。

8.一種功率管裝置，其包括主功率管以及用于對(duì)所述主功率管進(jìn)行保護(hù)的反向電壓保護(hù)電路；其特征在于，所述反向電壓保護(hù)電路為權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的反向電壓保護(hù)電路。