[發(fā)明專利]齊納二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910188618.4
• 申請日: 2009-12-04
• 公開（公告）號: CN102088037A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳孝嘉;羅澤煌;孫貴鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/866
• 分類號: H01L29/866;H01L21/329
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種齊納二極管，包括N型襯底，在N型襯底之上的表面氧化膜，在N型襯底上的陽極區(qū)，陰極區(qū)在陽極區(qū)之內(nèi)，其特征在于：還包括陽極區(qū)之內(nèi)的N型注入?yún)^(qū)，該N型注入?yún)^(qū)位于陰極結(jié)弧面處。

2.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的注入?yún)^(qū)域與所述陽極區(qū)的注入?yún)^(qū)域相同。

3.如權(quán)利要求1或2所述的齊納二極管，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的注入峰值深度在陰極結(jié)三分之二結(jié)深處。

4.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的N型雜質(zhì)為磷。

5.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的雜質(zhì)濃度范圍為1×10¹⁶～1×10¹⁸cm^-3。

6.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的厚度范圍為0.1um～0.15um。

7.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管，其特征在于：所述陰極區(qū)的N型雜質(zhì)為砷或是砷和磷的組合。

8.一種齊納二極管的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟一：準(zhǔn)備N型襯底，在硅襯底上形成表面氧化膜，在光刻膠掩蔽膜掩蔽下，向N型襯底注入P型雜質(zhì)，其注入峰值比陰極結(jié)深，同時注入N型雜質(zhì)，以形成N型注入?yún)^(qū)，注入峰值深度在陰極結(jié)的弧面處。

步驟二：利用光刻膠掩蔽膜，注入N型離子，在陽極區(qū)中形成陰極區(qū)。

步驟三：利用光刻膠掩蔽膜，注入P型離子，退火形成陽極區(qū)的引出區(qū)。

步驟四：制造絕緣層覆蓋N型襯底，分別做陰極區(qū)的布線和陽極區(qū)的布線。

9.如權(quán)利要求7所述的齊納二極管的制造方法，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的注入峰值深度在陰極結(jié)三分之二結(jié)深處。

10.如權(quán)利要求7所述的齊納二極管的制造方法，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)的注入?yún)^(qū)域與所述P型雜質(zhì)的注入?yún)^(qū)域相同。

11.如權(quán)利要求7所述的齊納二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟一的離子注入后不需要額外的退火。

12.如權(quán)利要求7所述的齊納二極管的制造方法，其特征在于：N型注入?yún)^(qū)的厚度范圍為0.1um～0.15um。