[發明專利]一種硅材料基板及其構建方法

無效

• 申請號: 200910188336.4
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN101704496A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發明（設計）人: 張會臣;李杰;龐連云
• 申請（專利權）人: 大連海事大學
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責任公司 21212
• 代理人: 李洪福

1.一種硅材料基板包括硅基板(1)、成膜層(3)，其特征在于：還包括紋理層(2)，所述的紋理層(2)在硅基板(1)和成膜層(3)之間。

2.根據權利要求1所述的硅材料基板，其特征在于：所述的紋理層(2)是通過激光加工硅基板(1)的表面獲得的，所述的成膜層(3)是通過自組裝分子膜在紋理層(2)上成膜來獲得的。

3.根據權利要求2所述的硅材料基板，其特征在于：所述的紋理層(2)具有微米-亞微米級的表面紋理結構。

4.根據權利要求3所述的硅材料基板，其特征在于：所述的紋理結構是點陣紋理、直線紋理或網格紋理。

5.根據權利要求2所述的硅材料基板，其特征在于：所述的自組裝分子膜為純度97％的1H，1H，2H，2H-全氟辛烷基三氯硅烷，簡稱FOTS。

6.一種具有超疏水性能的硅材料基板的構建方法，其特征在于：包括以下步驟：

A、對硅基板(1)進行預處理，將所加工硅片依次放在丙酮、乙醇、純水中，進行超聲清洗3分鐘，取出后用高純氮氣吹干；

B、采用激光加工器對硅基板(1)表面進行激光加工，制備出具有微米-亞微米級的表面紋理結構；

C、利用自組裝技術在激光加工后的硅基板(1)表面進行自組裝分子膜的成膜，構造出具有超疏水性能的表面。

7.根據權利要求6所述的硅材料基板的構建方法，其特征在于：所述的激光加工包括點陣紋理加工、直線紋理加工或網格紋理加工。

8.根據權利要求6所述的硅材料基板的構建方法，其特征在于：所述的自組裝分子膜的成膜工藝包括以下步驟：

C1、將激光加工后的硅基板(1)在丙酮、乙醇、純水中依次進行超聲清洗3min，以清除硅基板(1)表面雜質；

C2、將清洗后的硅基板(1)浸沒到piranha溶液中進行90℃恒溫水浴60min，使硅基板(1)表面羥基化，取出后進行高純水洗滌并用高純氮氣吹干；

C3、在試管中滴入1ml異辛烷，以異辛烷為溶劑，用微注射器抽取15μL?FOTS，配制成反應溶液；

C4、將羥基化后的硅基板(1)浸入到步驟C3制備好的反應溶液中真空保存60min后取出，依次在丙酮、乙醇、純水中進行超聲清洗，高純氮氣吹干；

C5、將制備好的硅基板(1)放置到90℃恒溫狀態下的真空干燥箱中固化60min。