[發(fā)明專利]一種GaN基發(fā)光二極管外延片及其生長(zhǎng)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910188007.X | 申請(qǐng)日： | 2009-10-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102044598A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘆玲;郭文平;楊天鵬;陳向東;肖志國(guó) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連美明外延片科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 116025 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan 發(fā)光二極管 外延 及其 生長(zhǎng) 方法 | ||
1.一種GaN基發(fā)光二極管外延片，其結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：襯底，低溫緩沖層，非摻雜GaN層，n型GaN層，多量子阱層，p型GaN層和電極接觸層，其特征在于所述的p型GaN層包括第一p型GaN層和第二p型GaN層，所述的第一p型氮化鎵層的厚度為30～60nm，所述的第二p型氮化鎵層的厚度為150～300nm。
2.如權(quán)利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管外延片，其特征在于所述的第一p型GaN層的厚度為30～50nm。
3.如權(quán)利要求書(shū)1或2所述的GaN基發(fā)光二極管外延片的生長(zhǎng)方法，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積方法，從下至上的生長(zhǎng)步驟為：
1)在1100℃～1200℃下，H2的氣氛中高溫凈化藍(lán)寶石襯底3～10分鐘；
2)降溫至530～570℃，反應(yīng)室壓力在300mbar～700mbar，生長(zhǎng)20～50nm厚度的低溫GaN緩沖層；
3)升溫至1170℃～1190℃，生長(zhǎng)壓力在100mbar～700mbar生長(zhǎng)1.3～1.8μm厚度的非摻雜GaN層；
4)將溫度調(diào)節(jié)至1170℃～1190℃，生長(zhǎng)壓力在100mbar～700mbar生長(zhǎng)1.5～2μm厚度的n型GaN層；
5)將溫度調(diào)節(jié)至700～800℃，生長(zhǎng)壓力在100mbar～500mbar生長(zhǎng)5個(gè)周期的InGaN/GaN的多量子阱層，其中InGaN量子阱厚度在1nm～3nm之間，GaN壘厚度在10nm～20nm之間，量子阱數(shù)目在2～15個(gè)之間；
6)生長(zhǎng)p型GaN層；
7)將溫度調(diào)節(jié)至950℃，生長(zhǎng)壓力在50mbar，生長(zhǎng)厚度在10nm～30nm的高摻雜p型氮化鎵電極接觸層；
8)降溫至室溫，生長(zhǎng)結(jié)束；
其特征在于，步驟6)分為兩步，首先在700～850℃的溫度，在50mbar～500mbar的壓力下，生長(zhǎng)第一p型GaN層；接著在950～1100℃的溫度下，在50mbar～600mbar的壓力，生長(zhǎng)第二p型GaN層；然后再進(jìn)行步驟7)和步驟8)。
4.如權(quán)利要求3所述的GaN基發(fā)光二極管外延片的生長(zhǎng)方法，其特征在于在780～800℃的溫度下，生長(zhǎng)第一p型GaN層。
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