[發(fā)明專利]硅襯底GaN基半導體材料的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910186565.2 | 申請日： | 2009-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN101719465A | 公開（公告）日： | 2010-06-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 江風益;方文卿;鄭暢達;莫春蘭;王立 | 申請（專利權）人： | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 gan 半導體材料 制造 方法 | ||
1.一種硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，包括：
在專門用于生長氮化鋁緩沖層的第一個MOCVD的反應室內，在硅襯底上 生成氮化鋁緩沖層，完成后取出，形成硅襯底氮化鋁模板備用；
將上述備用的硅襯底氮化鋁模板放入專門用于生長GaN基半導體材料的第 二個MOCVD的反應室內外延GaN基半導體材料，完成后取出，形成硅襯底 GaN基半導體材料。
2.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于：先在第一個MOCVD的反應室內，先清除硅襯底上的有機污染物和吸附的 氧原子，然后再進行氮化鋁緩沖層的生長。
3.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于所述在硅襯底上生成氮化鋁緩沖層的過程包括：
先通入有機金屬鋁源在硅襯底上鋪鋁，在硅表面均勻沉淀一層鋁金屬，同 時通入鋁源和氨氣進行反應，在硅襯底上沉淀生成氮化鋁緩沖層。
4.根據權利要求3所述的硅襯底GaN基半導體材料的制作方法，其特征在 于：所述有機金屬鋁源為三甲基鋁。
5.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于所述在硅襯底上生成氮化鋁緩沖層的過程包括：
先通入氨氣；
然后再通入鋁源和氨氣反應，在硅襯底上沉淀生成氮化鋁緩沖層。
6.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于：在所述硅襯底上生長單層氮化鋁緩沖層或者在不同的生長參數(shù)下的多層氮 化鋁緩沖層。
7.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于：所述氮化鋁緩沖層的生長溫度在500～1000攝氏度。
8.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于：所述氮化鋁的厚度在200～2000埃。
9.根據權利要求8所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征在 于：所述氮化鋁的厚度在600～800埃。
10.根據權利要求1或2所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其 特征在于：先對硅襯底進行刻槽構圖，然后再放入MOCVD的反應室內。
11.根據權利要求1所述的硅襯底GaN基半導體材料的制造方法，其特征 在于：在硅襯底上生成氮化鋁緩沖層過程中，先進行高壓生長，后進行低壓生 長。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
