[發明專利]縱向高壓深槽半導體管的制備方法

無效

• 申請號: 200910185330.1
• 申請日: 2009-11-05
• 公開（公告）號: CN101814436A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 易揚波;李海松;王欽;劉俠;陶平
• 申請（專利權）人: 蘇州博創集成電路設計有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20;H01L21/8234
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 黃雪蘭

1.一種縱向高壓深槽半導體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：首先取一塊N型摻雜類型半導體襯底(1)，然后在N型摻雜類型半導體襯底(1)上生長N型摻雜類型半導體外延層(2)，接著在N型摻雜類型半導體外延層(2)上生成間隔距離相等的P型摻雜半導體區(4)，接著從P型摻雜半導體區(4)向N型摻雜類型半導體外延層(2)刻蝕并形成深槽(51)，深槽(51)穿過P型摻雜半導體區(4)，接著向深槽(51)中填充熔融的硼磷硅玻璃(19)，接著將表面多余的硼磷硅玻璃去除，然后采用熱退火工藝，使得硼磷硅玻璃中的硼雜質和磷雜質擴散進入到深槽底部及側壁的硅中，在深槽底部及側壁上形成P型摻雜半導體區(3)，同時硼磷硅玻璃變成摻雜濃度很低的二氧化硅介質層(9)，接著在P型摻雜半導體區(4)中生成N型摻雜半導體源區(5)，最后依次生成柵氧化層(6)，多晶硅柵(7)和金屬層(8)。

2.根據權利要求1所述的縱向高壓深槽半導體管的制備方法，其特征在于熔融的硼磷硅玻璃(19)的成分來源中硼源材料(TEB)的含量高于磷源材料(TEPO)的含量。

3.根據權利要求1所述的縱向高壓深槽半導體管的制備方法，其特征在于P型摻雜半導體區(3)的寬度和退火工藝的時間有關，退火推阱工藝的時間越長，P型摻雜半導體區(3)的寬度越寬。

4.根據權利要求1所述的縱向高壓深槽半導體管的制備方法，其特征在于P型摻雜半導體區(3)中P型雜質的含量和硼磷硅玻璃(19)的成分來源中硼源材料(TEB)和磷源材料(TEPO)的含量有關，硼源材料的含量越高，P型摻雜半導體區(3)中的P型雜質含量越高，磷源材料(TEPO)的含量越低，P型摻雜半導體區(3)中的P型雜質含量越高。

5.根據權利要求1所述的縱向高壓深槽半導體管的制備方法，其特征在于P型摻雜半導體區(3)的受主雜質為硼。

6.根據權利要求1所述的縱向高壓深槽半導體管的制備方法，其特征在于P型摻雜半導體區(3)和二氧化硅介質層(9)構成的整體在器件的橫向方向上的間隔距離是相等的。