[發明專利]頂端包覆銀的金納米棒陣列及其制備方法和應用

無效

• 申請號: 200910184976.8
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN102041507A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 黃竹林;孟國文;唐朝龍;朱儲紅;李祥東
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C23C28/02
• 分類號: C23C28/02;C25D5/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種頂端包覆銀的金納米棒陣列，包括帶有金膜的金納米棒陣列，其特征在于：

所述金膜的厚度≤200nm，其上無金納米棒陣列的一面置有有機物襯底，所述有機物襯底的厚度為50～100μm；

所述構成金納米棒陣列的金納米棒的頂端包覆有銀納米顆粒，所述銀納米顆粒的直徑為60～90nm。

2.根據權利要求1所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列，其特征是有機物襯底為甲基丙烯酸甲酯襯底，或α-氰基丙烯酸乙酯襯底，或聚丙烯酸酯襯底。

3.根據權利要求1所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列，其特征是金納米棒的棒直徑為40～80nm、棒長度為≤500nm。

4.一種權利要求1所述頂端包覆銀的金納米棒陣列的制備方法，包括于納米通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍金膜，以及使用電化學沉積法在蒸鍍有金膜的氧化鋁模板的孔中生長金納米棒陣列，其特征在于完成步驟如下：

步驟1，先于未生長有金納米棒陣列一面的金膜上涂敷液態有機物，待其固化后，再將其一面蒸鍍有金膜、孔中沉積有金納米棒陣列以及金膜上涂敷有有機物的氧化鋁模板置于酸或堿溶液中，腐蝕掉氧化鋁模板；

步驟2，使用薄膜蒸鍍技術于金納米棒陣列的頂部蒸鍍銀，制得頂端包覆銀的金納米棒陣列。

5.根據權利要求4所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列的制備方法，其特征是液態有機物為甲基丙烯酸甲酯，或α-氰基丙烯酸乙酯，或丙烯酸酯。

6.根據權利要求4所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列的制備方法，其特征是薄膜蒸鍍技術為離子濺射技術，或電子束蒸發技術，或真空蒸發技術。

7.根據權利要求6所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列的制備方法，其特征是采用離子濺射技術時的濺射電流為2.5～3.5mA，濺射時間為0.5～7min。

8.根據權利要求4所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列的制備方法，其特征是納米通孔氧化鋁模板的制作為，先將鋁片置于濃度為0.2～0.4M的草酸溶液中，于直流電壓為30～50V下陽極氧化8～12h，再用過飽和的氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，接著，使用3～7wt％的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層，得到孔直徑為70～100nm的通孔氧化鋁模板。

9.根據權利要求4所述的頂端包覆銀的金納米棒陣列的制備方法，其特征是生長金納米棒陣列時的沉積電壓為0.8V，沉積時間為1～10min，電解液為10g/L的HAuCl₄、5g/L的EDTA、160g/L的Na₂SO₃和30g/L的K₂HPO₄的混合液。

10.一種權利要求1所述頂端包覆銀的金納米棒陣列的應用，其特征在于：利用頂端包覆銀的金納米棒陣列具有的表面增強拉曼散射效應性能，來檢測痕量有機物，所述痕量有機物為羅丹明，或2，3，3’-三氯聯苯。