[發(fā)明專利]硅平面半導體器件的玻璃鈍化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910182406.5
• 申請日: 2009-09-14
• 公開（公告）號: CN101667535A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發(fā)明（設計）人: 程萬坡;周明;顧理健
• 申請（專利權）人: 南通明芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/316
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所
• 代理人: 江 平

1.硅平面半導體器件的玻璃鈍化方法，其特征在于將光刻膠和玻璃粉的混合液均勻涂敷在完成了擴散工序待表面鈍化的硅片的表面，置于烘箱內在145～155℃的溫度下進行前烘；然后送入曝光機內曝光，再進行顯影，去除不必要的光刻膠和玻璃粉；將顯影后的硅片裝入載片舟，推入擴散爐進行去膠；再將硅片裝上載片舟，推入擴散爐，升溫至820℃，在O₂氣氛中燒結20分鐘后將載片舟拉出，取下硅片，即成；所述混合液中光刻膠和玻璃粉質量百分比分別為40％～60％、40％～60％。

2.根據權利要求1所述硅平面半導體器件的玻璃鈍化方法，其特征在于在所述涂敷前，將所述硅片進行化學清洗并甩干。