[發明專利]單級可升壓逆變器

有效

• 申請號: 200910181639.3
• 申請日: 2009-07-24
• 公開（公告）號: CN101599710A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 黃文新;胡育文;楊奇
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H02M7/44
• 分類號: H02M7/44;H02M7/48;H02J3/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單級升壓逆變器的電路拓撲結構，其特征在于，其主電路包括：一只具有耦合繞組(L1，L2)的升壓電感，原邊繞組(L1)的一端與直流電源正極連接，另一端串聯一只反向阻斷二極管(D)，連接到副邊繞組(L2)的一端并和逆變橋(B)的直流母線正端連接，副邊繞組(L2)的另一端與電容(C)正極相串聯，電容(C)負極與逆變橋(B)的直流母線負端連接的同時，也與電源負極相連；阻斷二極管(D)上并聯開關管(T)形成能量反饋通道，逆變橋為三相或單相，分別對應三相應用和單相應用。

2.如權利要求1所述的單級升壓逆變器的電路拓撲結構，其特征在于，利用逆變器的零矢量狀態，使逆變橋(B)的橋臂上下開關管直通，使原邊繞組(L1)儲能，在非直通時，原邊繞組(L1)儲能放電，逆變器直流母線電壓為副邊繞組(L2)電壓與電容(C)電壓疊加，使得逆變器直流母線電壓得到提升，從而獲得提升的逆變電壓。

3.如權利要求1所述的單級升壓逆變器的電路拓撲結構，其特征在于，控制直通零矢量作用時間和具有緊耦合繞組(L1，L2)的升壓電感匝數比的設計。