[發(fā)明專利]使用加熱鍵合頭的直接晶粒裝配

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910180727.1
• 申請日: 2009-10-21
• 公開（公告）號: CN101728288A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李明;丁穎;屠平亮;羅敬銘;鐘國基
• 申請（專利權(quán)）人: 先進(jìn)自動器材有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603;H01L33/00;B23K1/00;B23K1/20;B23K35/24
• 代理公司: 北京申翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214
• 代理人: 周春發(fā)

1.一種鍵合包含有焊料層的晶粒的方法，焊料層具有熔點Tm，該方法包含有以下步驟：

將鍵合頭加熱到鍵合頭設(shè)定溫度T1，T1高于Tm；

將襯底加熱到襯底設(shè)定溫度T2，T2低于Tm；

使用加熱的鍵合頭拾取晶粒朝向溫度T1加熱晶粒，以便于熔化焊料層；

將晶粒的融化的焊料層按壓在加熱的襯底上，以便于鍵合晶粒到襯底上；其后

將鍵合頭與鍵合的晶粒分開，以便于焊料層朝向溫度T2冷卻并固化。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中鍵合頭設(shè)定溫度T1高于Tm5-50℃。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中襯底設(shè)定溫度T2低于Tm5-50℃。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在將晶粒按壓在襯底上的步驟中，晶粒的溫度下降到溫度T3，T3位于T1和Tm之間。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中焊料層的熔點Tm為280℃。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包含有以下步驟：

在使用鍵合頭從臺體處拾取晶粒的步驟以前，首先將晶粒裝配在黏結(jié)片上，晶粒的焊料層朝下，然后使用拾取臂拾取晶粒并將其放置在臺體上。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中使用拾取臂將晶粒放置在臺體上，晶粒的焊料層朝下。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包含有以下步驟：

在使用鍵合頭從拾取臂處拾取晶粒的步驟以前，首先將晶粒裝配在黏結(jié)片上，晶粒的焊料層朝上，然后使用拾取臂拾取晶粒并將晶粒倒置以便于晶粒的焊料層朝下。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中襯底被封閉在腔室內(nèi)，該腔室包括加熱通道。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該加熱通道被蓋體所封閉，該腔室填充有保護(hù)氣體，以防止焊料層和襯底氧化。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包含有以下步驟：

當(dāng)晶粒被加熱的鍵合頭夾持時，將保護(hù)氣體吹在晶粒上，以防止焊料層氧化。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在預(yù)定的鍵合力下將晶粒按壓在襯底上持續(xù)一段預(yù)定的時間。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中焊料層包括金-錫材料。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中晶粒包括高亮度LED芯片。?