[發(fā)明專利]一種氮化鎵晶體拋光的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910180529.5
• 申請(qǐng)日: 2009-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101673668A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李強(qiáng);徐永寬;程紅娟;殷海豐;于祥潞;楊丹丹;賴占平;嚴(yán)如岳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/302;B24B37/04;B24B29/02
• 代理公司: 信息產(chǎn)業(yè)部電子專利中心
• 代理人: 梁 軍

1.一種氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

將氮化鎵晶片粘貼在石英板上；

用研磨機(jī)對(duì)粘貼在石英板上的氮化鎵晶片進(jìn)行研磨；

把拋光墊貼在拋光盤上，用環(huán)型重物把貼有氮化鎵晶片的石英板壓在拋光 墊上，使紫外光從環(huán)形重物上方透過(guò)，照在氮化鎵晶片上，對(duì)拋光液加熱；啟 動(dòng)拋光機(jī)，使研磨盤旋轉(zhuǎn)進(jìn)而帶動(dòng)氮化鎵晶片以及環(huán)型重物旋轉(zhuǎn)進(jìn)行拋光；其 中，環(huán)型重物的壓力為100-500g/cm²。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，將氮化鎵 晶片粘貼在石英板上，具體為：

將石英板在加熱器上加熱，把蠟均勻的涂抹其上，再把氮化鎵晶片粘在蠟 上按實(shí)，停止加熱，待蠟?zāi)毯螅瑢⒍嘤嗟南炃宄簦瓿少N片。

3.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，將所述氮 化鎵晶片粘貼在所述石英板的中央。

4.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，將所述氮 化鎵晶片均勻粘貼在所述石英板的四周，且與所述石英板邊緣保持至少2mm 的距離。

5.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，對(duì)所述氮 化鎵晶片進(jìn)行研磨的方法是：

采用不同粒徑的磨料對(duì)所述氮化鎵晶片進(jìn)行多次研磨。

6.如權(quán)利要求5所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，所述磨料 立方碳化硼、碳化硅、剛玉粉。

7.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，所述拋光 為粗拋，粗拋拋光液為粒徑為80nm的Al₂O₃拋光液，其中加入5％的三氯異氰 脲酸。

8.如權(quán)利要求7所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，在粗拋之 后，還包括細(xì)拋，細(xì)拋的拋光液采用粒徑為25-26nm的SiO2拋光液，其中加 入5％的H2O2。

9.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體拋光的方法，其特征在于，所述拋光 液的溫度為30-90℃。