[發明專利]一種降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法

有效

• 申請號: 200910180528.0
• 申請日: 2009-10-19
• 公開（公告）號: CN101673670A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 于祥潞;徐永寬;殷海豐;程紅娟;李強;楊丹丹;賴占平;嚴如岳
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306;H01L21/20
• 代理公司: 信息產業部電子專利中心
• 代理人: 梁 軍

1.一種降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

對剝離下來的三族氮化物自支撐片進行腐蝕；

對腐蝕后的三族氮化物自支撐片進行生長，生長面為氮面；其中，所述三族氮化物自支撐片的生長溫度為650℃～1150℃，生長厚度大于等于20μm。

2.如權利要求1所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，對剝離下來的三族氮化物自支撐片進行濕法腐蝕。

3.如權利要求2所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕所用的腐蝕液是鹽酸和硝酸的混合液，或硫酸和磷酸的混合液。

4.如權利要求1所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，對剝離下來的三族氮化物自支撐片進行干法腐蝕。

5.如權利要求4所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，所述干法腐蝕是將自支撐片放入單晶爐中，向反應室內通入氯化氫和氨氣，對自支撐片進行腐蝕操作。

6.如權利要求1所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，對腐蝕后的三族氮化物自支撐片進行生長的生長方法為氫化物氣相外延、金屬有機化學氣相沉積或氨熱法。

7.如權利要求1所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，在對腐蝕后的三族氮化物自支撐片進行生長之后，進行退火降溫。

8.如權利要求1～7任一項所述的降低三族氮化物自支撐片翹曲度的方法，其特征在于，所述三族氮化物自支撐片厚度大于等于50μm。