[發明專利]靜電放電保護電路以及集成電路

有效

• 申請號: 200910180459.3
• 申請日: 2009-10-15
• 公開（公告）號: CN101741075A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 林奕成
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02;H01L23/60
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強;張一軍

1.一種集成電路，包含：

基墊單元，耦接于第一節點，用于接收或傳輸信號；

內部電路，耦接于所述第一節點，用于處理所述信號；以及

靜電放電保護電路，包含：

靜電放電箝位電路，耦接于所述第一節點，用于箝位流經所述第 一節點的靜電放電電流；

第一限流分流單元，通過所述第一節點耦接于所述基墊單元，用 于限制所述靜電放電電流并分流部分所述靜電放電電流到電平為Vdd 的電壓通路；以及

第二限流分流單元，耦接于所述第一限流分流單元，用于限制所 述靜電放電電流并分流部分所述靜電放電電流到電平為Vss的電壓通 路；

所述第一限流分流單元包含：

第一擴散電阻，用于限制所述靜電放電電流；以及

第一寄生二極管，用于分流部分所述靜電放電電流到所述電平為 Vdd的電壓通路；

所述第一限流分流單元是一個第一金屬氧化物半導體晶體管，所 述第一金屬氧化物半導體晶體管的第一漏極包含：

第一觸頭，耦接于所述第一節點，

第二觸頭，耦接于第二節點，所述第二節點位于所述第一限流分流單 元與所述第二限流分流單元之間，以及

第一電阻區，形成于所述第一觸頭及所述第二觸頭之間，作為所 述第一擴散電阻。

2.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一限流分 流單元及所述第二限流分流單元為串聯耦接，所述第二節點為所述第 一限流分流單元及所述第二限流分流單元為串聯耦接的連接點，第三 節點為所述第二限流分流單元與所述內部電路串聯耦接的連接點；所 述第一限流分流單元耦接于所述第一節點與第二節點之間，且所述第 二限流分流單元耦接于所述第二節點與所述第三節點之間。

3.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一限流分 流單元與所述第二限流分流單元并聯耦接于所述第一節點與所述內部 電路之間。

4.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一電阻區 是在所述第一金屬氧化物半導體晶體管加工過程中遮蔽硅化物膜所形 成。

5.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一電阻區 是在所述第一金屬氧化物半導體晶體管加工過程后移除所述第一金屬 氧化物半導體晶體管的硅化物所形成。

6.如權利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述第二限流分 流單元包含：

第二擴散電阻，用于限制所述靜電放電電流；以及

第二寄生二極管，用于分流部分所述靜電放電電流到所述電平為 Vss的電壓通路。

7.如權利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述第二限流分 流單元是一個第二金屬氧化物半導體晶體管，所述第二金屬氧化物半 導體晶體管的第二漏極包含：

第三觸頭，耦接于第二節點，

第四觸頭，耦接于第三節點，所述第三節點為所述第二限流分流 單元與所述內部電路耦接的連接點，以及

第二電阻區，形成于所述第三觸頭及所述第四觸頭之間，作為所 述第二擴散電阻。

8.如權利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述第二限流分 流單元是一個第二金屬氧化物半導體晶體管，所述第二金屬氧化物半 導體晶體管的第二漏極包含：

第三觸頭，耦接于第二節點，

第四觸頭，耦接于所述第一節點，以及

第二電阻區，形成于所述第三觸頭及所述第四觸頭之間，作為所 述第二擴散電阻。