[發明專利]灰色調掩模和灰色調掩模的制造方法

無效

• 申請號: 200910179767.4
• 申請日: 2005-07-12
• 公開（公告）號: CN101673049A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 佐野道明
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李 輝

1.一種灰色調掩模，在被復制基板上具有用于形成厚抗蝕劑圖形、薄抗蝕劑圖形和無抗蝕劑區域的厚抗蝕劑圖形形成部、薄抗蝕劑圖形形成部和無抗蝕劑區域形成部，所述薄抗蝕劑圖形形成部由半透光部構成，所述厚抗蝕劑圖形形成部由遮光部構成，所述無抗蝕劑區域形成部由透光部構成，其特征在于，

在透明基板上，在所述半透光部上形成有半透光膜，在所述遮光部上形成有遮光膜，并且，在所述遮光部與所述透光部的邊界部設置有裕量區域，該裕量區域由半透光膜圖形形成。

2.一種灰色調掩模，在被復制基板上具有用于形成厚抗蝕劑圖形、薄抗蝕劑圖形和無抗蝕劑區域的厚抗蝕劑圖形形成部、薄抗蝕劑圖形形成部和無抗蝕劑區域形成部，所述薄抗蝕劑圖形形成部由半透光部構成，所述厚抗蝕劑圖形形成部由遮光部構成，所述無抗蝕劑區域形成部由透光部構成，其特征在于，

在透明基板上具有：遮光部，其層疊有半透光膜圖形和遮光膜圖形；半透光部，其在所述遮光部以外的部分形成有半透光膜圖形；以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部，

所述遮光部具有在所述透光部側空出裕量區域而形成在所述半透光膜圖形之上的遮光膜圖形。

3.一種灰色調掩模，在被復制基板上具有用于形成厚抗蝕劑圖形、薄抗蝕劑圖形和無抗蝕劑區域的厚抗蝕劑圖形形成部、薄抗蝕劑圖形形成部和無抗蝕劑區域形成部，所述薄抗蝕劑圖形形成部由半透光部構成，所述厚抗蝕劑圖形形成部由遮光部構成，所述無抗蝕劑區域形成部由透光部構成，其特征在于，

在透明基板上具有：遮光部，其由遮光膜和層疊在該遮光膜上的半透光膜形成；半透光部，其在遮光部以外的部分形成有半透光膜圖形；以及既未形成半透光膜又未形成遮光膜的透光部，

所述遮光部具有在透光部側空出裕量區域而形成在所述半透光膜圖形之上的遮光膜圖形。

4.如權利要求1至3中任一項所述的灰色調掩模，其特征在于，所述裕量區域的寬度是0.1～1μm。

5.如權利要求1至3中任一項所述的灰色調掩模，其特征在于，所述遮光膜由Cr系材料構成。

6.如權利要求1或2所述的灰色調掩模，其特征在于，所述遮光膜與所述半透光膜在其中的一種膜的刻蝕環境中，另一種膜具有耐受性。

7.如權利要求1或2所述的灰色調掩模，其特征在于，所述遮光膜具有Cr，所述半透光膜具有MoSi。

8.如權利要求1或2所述的灰色調掩模，其特征在于，在所述半透光膜和遮光膜之間設置具有刻蝕中止層功能的膜。

9.如權利要求8所述的灰色調掩模，其特征在于，具有所述刻蝕中止層功能的膜采用SiO₂或SOG。

10.一種灰色調掩模的制造方法，所述灰色調掩膜在被復制基板上具有用于形成厚抗蝕劑圖形、薄抗蝕劑圖形和無抗蝕劑區域的厚抗蝕劑圖形形成部、薄抗蝕劑圖形形成部和無抗蝕劑區域形成部，所述薄抗蝕劑圖形形成部由半透光部構成，所述厚抗蝕劑圖形形成部由遮光部構成，所述無抗蝕劑區域形成部由透光部構成，其特征在于，所述灰色調掩模的制造方法具有：

在透明基板上準備至少層疊有半透光膜和遮光膜的掩模毛坯的工序；

遮光部圖形形成工序，包含：在用于形成遮光膜圖形的第1抗蝕劑膜上描繪第1描繪圖形并將其顯影，形成第1抗蝕劑圖形，以該第1抗蝕劑圖形作為掩模來刻蝕遮光膜的工序；以及

半透光膜圖形形成工序，包含：在用于形成半透光膜圖形的第2抗蝕劑膜上描繪第2描繪圖形并將其顯影，形成第2抗蝕劑圖形，以該第2抗蝕劑圖形作為掩模來刻蝕半透光膜的工序，

所述第1描繪圖形是用于形成與在透光部側空出所希望的裕量區域的位置對應的遮光部的圖形，

所述第2描繪圖形是與所述半透光部對應的圖形。

11.如權利要求10所述的灰色調掩模的制造方法，其特征在于，在所述掩模毛坯的半透光膜與遮光膜之間，設置通過刻蝕除去遮光膜時用于保護半透光膜的緩沖膜。

12.一種灰色調掩模的制造方法，所述灰色調掩膜在被復制基板上具有用于形成厚抗蝕劑圖形、薄抗蝕劑圖形和無抗蝕劑區域的厚抗蝕劑圖形形成部、薄抗蝕劑圖形形成部和無抗蝕劑區域形成部，所述薄抗蝕劑圖形形成部由半透光部構成，所述厚抗蝕劑圖形形成部由遮光部構成，所述無抗蝕劑區域形成部由透光部構成，其特征在于，所述灰色調掩模的制造方法具有：

在透明基板上準備至少形成有遮光膜的掩模毛坯的工序；

遮光部圖形形成工序，包含：在用于形成遮光膜圖形的第1抗蝕劑膜上描繪第1描繪圖形并將其顯影，形成第1抗蝕劑圖形，以該第1抗蝕劑圖形作為掩模來刻蝕遮光膜的工序；

在形成所述遮光部后的透明基板上形成半透光膜的工序；以及

半透光膜圖形形成工序，包含：在用于形成所述半透光膜圖形的形成在所述半透光膜上的第2抗蝕劑膜上描繪第2描繪圖形并將其顯影，形成第2抗蝕劑圖形，以該第2抗蝕劑圖形作為掩模來刻蝕半透光膜的工序，

所述第1描繪圖形是用于形成與在透光部側空出裕量區域的位置對應的遮光部的圖形，

所述第2描繪圖形是與所述半透光部對應的圖形。