[發(fā)明專利]半導體器件的金屬互連的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910179134.3
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN101714520A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹基準
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種方法，其包括如下步驟：

在半導體襯底上方形成包含接觸插塞的層間介電層；

在該層間介電層上方形成金屬層、硬掩模層和抗反射層；

在該抗反射層上方形成光致抗蝕劑圖案；

使用該光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，在第一次蝕刻工藝中蝕刻該抗反射層，以形成抗反射圖案；

通過使用在第一次蝕刻工藝中生成的聚合物，在該抗反射圖案和該光致抗蝕劑圖案的表面上方形成第一聚合物層；

通過使用該抗反射圖案、該光致抗蝕劑圖案和該第一聚合物層作為蝕刻掩模，在第二次蝕刻工藝中蝕刻該硬掩模層，以形成硬掩模；以及

通過使用該光致抗蝕劑圖案、該抗反射圖案、該第一聚合物層和該硬掩模作為蝕刻掩模，在第三次蝕刻工藝中蝕刻該金屬層，以形成金屬互連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包括如下步驟：通過使用在第二次蝕刻工藝中生成的聚合物，在該第一聚合物層和該硬掩模的表面上方形成第二聚合物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第一次蝕刻工藝中使用CF₄、O₂和Ar。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，提供CF₄的范圍為65sccm至95sccm，提供O₂的范圍為9sccm至15sccm，以及提供Ar的范圍為300sccm至360sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第二次蝕刻工藝中使用C₅F₈、O₂和Ar。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第二次蝕刻工藝中使用C₄F₈、O₂和Ar。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，提供C₅F₈的范圍為12sccm至18sccm，提供O₂的范圍為9sccm至15sccm，以及提供Ar的范圍為800sccm至960sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，當執(zhí)行第二次蝕刻工藝時，提供源功率的范圍為1400W至1600W且頻率為10MHz至37MHz，提供偏置功率的范圍為1600W至1800W且頻率為1MHz至5MHz。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一聚合物層和第二聚合物層包括C-C化合物或C-F化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過使用ArF光致抗蝕劑來形成該光致抗蝕劑圖案。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，當執(zhí)行第一次蝕刻工藝時，CF₄、O₂和Ar的使用量在±20％的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在第二次蝕刻工藝中，C₅F₈、O₂和Ar的使用量控制在±20％的范圍內(nèi)。