[發(fā)明專利]向表面上分配易熔材料的裝置和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910179115.0
• 申請日: 2009-09-28
• 公開（公告）號: CN101714514A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·N·比格斯;R·A·巴德;B·V·法薩諾;J·J·格蘭特;J·P·卡里迪斯;C·L·泰斯勒;T·維斯
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;B23K37/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種向表面分配易熔材料的裝置，其中所述易熔材料是熔化的形 式，所述裝置包括：

分配組件，其包括密封結(jié)構(gòu)，其中所述密封結(jié)構(gòu)控制所述易熔材料的 分配；以及

一個或多個氣體通道，其耦合至所述分配組件，所述一個或多個氣體 通道中的每個向所述分配組件供應(yīng)至少一種氣體，用于控制在所述密封結(jié) 構(gòu)的至少一部分周圍的氣體環(huán)境，其中根據(jù)所述至少一種氣體的至少一個 特性控制所述易熔材料的氧化速率，其中所述一個或多個氣體通道包括位 于所述分配組件的前緣的氣體通道和位于所述分配組件的后緣的氣體通 道，并且位于所述前緣的所述氣體通道和位于所述后緣的所述氣體通道是 不相通的。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述分配組件還包括：儲存器， 用于包含所述易熔材料。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述儲存器是被施壓的。

4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述分配組件還包括：在所述儲 存器周圍的加熱單元，用于加熱所述易熔材料。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述分配組件可操作為沿平行于 所述表面的方向移動。

6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述分配組件可操作為接近于和 遠離于所述表面移動。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述一個或多個氣體通道中的至 少一個可操作為接近于和遠離于所述表面移動。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中位于所述前緣的所述氣體通道和 位于所述后緣的所述氣體通道分別供應(yīng)不同氣體。

9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中根據(jù)所述至少一種氣體的至少一 個特性控制所述易熔材料的分配速率和所述易熔材料對于所述表面的粘 著力中的至少一個。

10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中根據(jù)所述至少一種氣體的至少一 個特性控制所述易熔材料的顆粒尺寸和固化形式的結(jié)構(gòu)中的至少一個。

11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中根據(jù)所述分配組件的操作調(diào)節(jié)所 述至少一種氣體的混合物。

12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一種氣體包括氮氣、氬 氣、氦氣、和氧氣中的至少一種。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一種氣體包括水汽，其 中根據(jù)所述水汽的至少一個特性控制所述易熔材料的粘著力。

14.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一種氣體被進行加熱和 冷卻處理中的至少一個處理。

15.一種向表面分配易熔材料的方法，其中所述易熔材料是熔化的形 式，所述方法包括以下步驟：

控制在分配組件的密封結(jié)構(gòu)的一部分周圍的氣體環(huán)境，以調(diào)節(jié)所述易 熔材料的氧化速率，其中所述分配組件分配所述易熔材料，其中控制氣體 環(huán)境的步驟還包括：經(jīng)由一個或多個氣體通道向所述分配組件供應(yīng)至少一 種氣體，所述一個或多個氣體通道包括位于所述分配組件的前緣的氣體通 道和位于所述分配組件的后緣的氣體通道，并且位于所述前緣的所述氣體 通道和位于所述后緣的所述氣體通道是不相通的。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中位于所述前緣的所述氣體通道 和位于所述后緣的所述氣體通道分別供應(yīng)不同氣體。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中根據(jù)所述至少一種氣體的至少 一個特性控制所述易熔材料的分配速率和所述易熔材料對于所述表面的 粘著力中的至少一個。

18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中根據(jù)所述至少一種氣體的至少 一個特性控制所述易熔材料的顆粒尺寸和固化形式的結(jié)構(gòu)中的至少一個。

19.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括以下步驟：根據(jù)所述分配組 件的操作調(diào)節(jié)所述至少一種氣體的混合物。

20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述至少一種氣體包括氮氣、 氬氣、氦氣、和氧氣中的至少一種。