[發明專利]白光發光二極管及其碘化物石榴石熒光粉

無效

• 申請號: 200910178588.9
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN101712871A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 索辛納姆;羅維鴻;蔡綺睿
• 申請（專利權）人: 羅維鴻
• 主分類號: C09K11/86
• 分類號: C09K11/86;H01L33/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉

1.一種碘化物石榴石熒光粉，其是以石榴石架構的稀土氧化物元 素為基質，其特征在于：在該熒光粉材料中添加引入碘離子I^-1及硅離 子Si⁺⁴，陰離子晶格中相互補償電子，形成如下化學計量公式： (∑Ln)₃Al₂(Al_1-xSi_xO_4-xI_x)₃，其中∑Ln＝Y及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/ 或La及/或Ce及/或Pr及/或Dy，0.0001＜x≤0.10；該熒光粉輻射在一 InGaN半導體異質結的激發下可產生長波位移。

2.根據權利要求1所述的碘化物石榴石熒光粉，其中所述長波位 移為Δ≥25nm。

3.根據權利要求1所述的碘化物石榴石熒光粉，其中在陰離子晶 格中稀土元素離子的組份如下：

0.5≤Y/∑Ln≤0.95；0.01≤Gd/∑Ln≤0.5；0.001≤Tb/∑Ln≤0.05； 0.001≤Lu/∑Ln≤0.05；0.001≤La/∑Ln≤0.05；0.01≤Ce/∑Ln≤0.1； 0.001≤Dy/∑Ln≤0.05；0.0001≤Pr/∑Ln≤0.05。

4.根據權利要求1所述的碘化物石榴石熒光粉，其中所述熒光粉 具有石榴石立方晶架構，在其陰離子晶格中增加碘離子I^-1及硅離子Si⁺⁴的濃度，晶格參數則會增加，

5.一種碘化物石榴石熒光粉的制備方法，其用于制備如權利要求 1所述的碘化物石榴石熒光粉，在添加SiO₂至最初的稀土試劑之后熱 加工處理，另外在熱加工處理時，在還原氣體中引入碘化物成份氣體。

6.一種白光發光二極管，其是以半導體異質結InGaN為基質，并 涂有一發光轉換層，該發光轉換層分布在該異質結輻射表面及棱面上， 且該發光轉換層中添加有如權利要求1所述的熒光粉，其特征在于：該 發光轉換層中的厚度變化范圍為80～200微米，且厚度均勻。

7.根據權利要求6所述的白光發光二極管，其中該發光轉換層是 由硅酸鹽聚合物與如權利要求1所述的熒光粉組成，其質量關系比例為 92∶8～25∶75。

8.根據權利要求6所述的白光發光二極管，其中在供應激發功率 為W＝1瓦特時，2θ＝60°角，其發光強度為1＞30cd，色溫T＞4500K。

9.根據權利要求6所述的白光發光二極管，其中對于功率為1瓦 特的二極管，其光通量F＞110流明，光效能η＞100流明/瓦特。