[發(fā)明專利]白光發(fā)光二極管及其碘化物石榴石熒光粉無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910178588.9 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN101712871A | 公開(公告)日: | 2010-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 索辛納姆;羅維鴻;蔡綺睿 | 申請(專利權(quán))人: | 羅維鴻 |
| 主分類號: | C09K11/86 | 分類號: | C09K11/86;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 200231 上海市徐*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 白光 發(fā)光二極管 及其 碘化物 石榴石 熒光粉 | ||
1.一種碘化物石榴石熒光粉,其是以石榴石架構(gòu)的稀土氧化物元 素為基質(zhì),其特征在于:在該熒光粉材料中添加引入碘離子I-1及硅離 子Si+4,陰離子晶格中相互補償電子,形成如下化學(xué)計量公式: (∑Ln)3Al2(Al1-xSixO4-xIx)3,其中∑Ln=Y(jié)及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/ 或La及/或Ce及/或Pr及/或Dy,0.0001<x≤0.10;該熒光粉輻射在一 InGaN半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的激發(fā)下可產(chǎn)生長波位移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化物石榴石熒光粉,其中所述長波位 移為Δ≥25nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化物石榴石熒光粉,其中在陰離子晶 格中稀土元素離子的組份如下:
0.5≤Y/∑Ln≤0.95;0.01≤Gd/∑Ln≤0.5;0.001≤Tb/∑Ln≤0.05; 0.001≤Lu/∑Ln≤0.05;0.001≤La/∑Ln≤0.05;0.01≤Ce/∑Ln≤0.1; 0.001≤Dy/∑Ln≤0.05;0.0001≤Pr/∑Ln≤0.05。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碘化物石榴石熒光粉,其中所述熒光粉 具有石榴石立方晶架構(gòu),在其陰離子晶格中增加碘離子I-1及硅離子Si+4的濃度,晶格參數(shù)則會增加,
5.一種碘化物石榴石熒光粉的制備方法,其用于制備如權(quán)利要求 1所述的碘化物石榴石熒光粉,在添加SiO2至最初的稀土試劑之后熱 加工處理,另外在熱加工處理時,在還原氣體中引入碘化物成份氣體。
6.一種白光發(fā)光二極管,其是以半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)InGaN為基質(zhì),并 涂有一發(fā)光轉(zhuǎn)換層,該發(fā)光轉(zhuǎn)換層分布在該異質(zhì)結(jié)輻射表面及棱面上, 且該發(fā)光轉(zhuǎn)換層中添加有如權(quán)利要求1所述的熒光粉,其特征在于:該 發(fā)光轉(zhuǎn)換層中的厚度變化范圍為80~200微米,且厚度均勻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光二極管,其中該發(fā)光轉(zhuǎn)換層是 由硅酸鹽聚合物與如權(quán)利要求1所述的熒光粉組成,其質(zhì)量關(guān)系比例為 92∶8~25∶75。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光二極管,其中在供應(yīng)激發(fā)功率 為W=1瓦特時,2θ=60°角,其發(fā)光強度為1>30cd,色溫T>4500K。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光二極管,其中對于功率為1瓦 特的二極管,其光通量F>110流明,光效能η>100流明/瓦特。
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