[發明專利]差分四相相移鍵控發送機的驅動幅度控制裝置及方法

有效

• 申請號: 200910178323.9
• 申請日: 2009-10-16
• 公開（公告）號: CN101674138A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 崔平;朱曉宇
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H04B10/155
• 分類號: H04B10/155;H03K19/003
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭潤湘

1.一種差分四相相移鍵控DQPSK發送機的驅動幅度控制裝置，包括：第 一偏置點、第二偏置點、第三偏置點、驅動器I、驅動器Q、對未加調制信號 的連續光譜光源CW發出的光信號進行調制的DQPSK調制器，所述驅動器I 和驅動器Q分別有三級，每一級被認為是一個金屬氧化物半導體場效應管 MOSFET；其特征在于，還包括：

調制器反饋控制單元，與第一偏置點、第二偏置點、第三偏置點相連，用 于根據DQPSK調制器調制后的光信號的一部分對第一偏置點、第二偏置點、 第三偏置點進行控制；

驅動器I反饋控制單元，與驅動器I相連，用于根據驅動器I的溫度變化 對驅動器I的驅動幅度進行控制，所述根據驅動器I的溫度變化對驅動器I的 驅動幅度進行控制，包括：

直接補償方式，檢測驅動器I的溫度變化，并根據該溫度變化按溫度補償 曲線進行補償后反饋至開關電源變化器，以控制驅動器I的第三級MOSFET 的漏極電壓的變化；

間接補償方式，在驅動器I的幅度受溫度的影響而發生改變并使流過該驅 動器的第三級MOSFET的漏極處的電流發生變化時，檢測驅動器I的第三級的 MOSFET的漏極處的電流變化，根據該電流變化控制該第三級的MOSFET的 門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級的MOSFET的門極電壓的電壓變化 來控制該第三級的MOSFET的漏極處的電流變化；

驅動器Q反饋控制單元，與驅動器Q相連，用于根據驅動器Q的溫度變 化對驅動器Q的驅動幅度進行控制，所述根據驅動器Q的溫度變化對驅動器Q 的驅動幅度進行控制，包括：

直接補償方式，檢測驅動器Q的溫度變化，并根據該溫度變化按溫度補償 曲線進行補償后反饋至開關電源變化器，以控制驅動器Q的第三級MOSFET 的漏極電壓的變化；

間接補償方式，在驅動器Q的幅度受溫度的影響而發生改變并使流過該驅 動器的第三級MOSFET的漏極處的電流發生變化時，檢測驅動器Q的第三級 的MOSFET的漏極處的電流變化，根據該電流變化控制該第三級的MOSFET 的門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級的MOSFET的門極電壓的電壓變 化來控制該第三級的MOSFET的漏極處的電流變化。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述驅動器I反饋控制單元 包括：

第一溫度傳感器，與驅動器I相連，用于檢測驅動器I的溫度變化；

第一直接補償模塊，用于根據驅動器I的溫度變化按溫度補償曲線進行補 償后反饋至開關電源變化器，用以控制第三級MOSFET的漏極電壓的變化。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述驅動器Q反饋控制單元 包括：

第二溫度傳感器，與驅動器Q相連，用于檢測驅動器Q的溫度變化；

第二直接補償模塊，用于根據驅動器Q的溫度變化按溫度補償曲線進行補 償后反饋至開關電源變化器，用以控制第三級的MOSFET的漏極電壓的變化。

4.如權利要求2或3所述的裝置，其特征在于，所述溫度補償曲線根據 驅動器輸出信號的幅度與驅動器MOSFET的漏極電壓獲取。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述驅動器I反饋控制單元 包括：

第一電流檢測模塊，與驅動器I的第三級的MOSFET的漏極處相連，用于 檢測驅動器I的第三級的MOSFET的漏極處的電流變化；

第一間接補償模塊，用于根據驅動器I的第三級的MOSFET的漏極處的電 流變化控制第三級的MOSFET的門極電壓的電壓變化，并通過控制第三級的 MOSFET的門極電壓的電壓變化來控制第三級的MOSFET的漏極處的電流變 化。