[發(fā)明專利]鋰二次電池的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910178208.1
• 申請日: 2006-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN101699645A
• 公開（公告）日: 2010-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古結(jié)康隆;宇賀治正彌;高橋慶一;美濃辰治;長尾宣明;澀谷聰;本田和義
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01M10/38
• 分類號(hào): H01M10/38;H01M4/04;H01M4/48;H01M4/38
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

1.鋰二次電池的制造方法，具備：

制作正極的工序，所述正極具備片狀正極集電體和擔(dān)載于所述正極集 電體上的正極活性物質(zhì)層；

制作負(fù)極的工序，根據(jù)鋰二次電池用負(fù)極的制造方法制作負(fù)極，所述 負(fù)極具備片狀負(fù)極集電體和擔(dān)載于所述負(fù)極集電體上的負(fù)極活性物質(zhì)層；

使隔膜介于所述正極活性物質(zhì)層和所述負(fù)極活性物質(zhì)層之間而將所述 正極活性物質(zhì)層和所述負(fù)極活性物質(zhì)層相互對(duì)置的工序；

所述鋰二次電池用負(fù)極的制造方法，包括如下工序：

(a)準(zhǔn)備表面粗糙度Rz為2μm以上20μm以下的片狀集電體；

(b)在含氧或氮的減壓氣氛下，使硅從與所述集電體的法線方向構(gòu)成 角Φ的方向入射到所述集電體上并使其沉積，形成含有所述硅和所述氧、 或者所述硅和所述氮的活性物質(zhì)層，其中，20°≤Φ≤85°；

由所述鋰二次電池用負(fù)極的制造方法所制造的負(fù)極活性物質(zhì)層的空隙 率P為10％≤P≤70％。

2.如權(quán)利要求1所述的鋰二次電池的制造方法，使硅入射到所述集電 體上的工序，是采用選自蒸鍍法、濺射法和化學(xué)氣相沉積法中的至少1種 來進(jìn)行的。

3.如權(quán)利要求1所述的鋰二次電池的制造方法，所述工序(b)的氣氛 為氧氣氛，所述活性物質(zhì)層含有含所述硅和所述氧的化合物，所述含所述 硅和所述氧的化合物具有由通式(1)：SiOx表示的組成，其中，0＜x＜2。

4.鋰二次電池的制造方法，具備：

制作正極的工序，所述正極具備片狀正極集電體和擔(dān)載于所述正極集 電體上的正極活性物質(zhì)層；

制作負(fù)極的工序，由鋰二次電池用負(fù)極的制造方法制作負(fù)極，所述負(fù) 極具備片狀負(fù)極集電體和擔(dān)載于所述負(fù)極集電體上的負(fù)極活性物質(zhì)層；

使隔膜介于所述正極活性物質(zhì)層和所述負(fù)極活性物質(zhì)層之間而將所述 正極活性物質(zhì)層和所述負(fù)極活性物質(zhì)層相互對(duì)置的工序；

所述鋰二次電池用負(fù)極的制造方法，包括如下工序：

(a)準(zhǔn)備表面粗糙度Rz為2μm以上20μm以下的片狀集電體；

(b)使硅元素和不與鋰形成合金的金屬元素M從與所述集電體的法 線方向構(gòu)成角Φ的方向入射到所述集電體上使其沉積，形成含有所述硅元 素和所述金屬元素M的活性物質(zhì)層，其中，20°≤Φ≤85°，

由所述鋰二次電池用負(fù)極的制造方法所制造的負(fù)極活性物質(zhì)層的空隙 率P為10％≤P≤70％。

5.如權(quán)利要求4所述的鋰二次電池的制造方法，所述金屬元素M包含 選自鈦、銅和鎳之中的至少1種。