[發(fā)明專利]彩色濾光片形成于薄膜晶體管陣列基板上的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910178087.0 | 申請(qǐng)日： | 2009-09-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101661204A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃彥衡;陳宗凱;白佳蕙;曾文賢;鄭為元 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02F1/1362 | 分類號(hào)： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽;唐秀萍 |
| 地址： | 臺(tái)灣省新竹市新竹*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 彩色 濾光 形成 薄膜晶體管 陣列 基板上 制造 方法 | ||
1.一種彩色濾光片形成于薄膜晶體管陣列基板上的制造方法，所述薄膜晶體管陣列基板具有若干個(gè)畫(huà)素單元且每一畫(huà)素單元由至少一第一畫(huà)素區(qū)及一第二畫(huà)素區(qū)組成，其特征在于，所述制造方法包含以下步驟：
形成第一圖案化色阻層于所述薄膜晶體管陣列基板上，其中所述第一圖案化色阻層覆蓋所述第一畫(huà)素區(qū)并形成所述第二畫(huà)素區(qū)的容納區(qū)；以及
以噴墨方式將第二色阻層噴涂于所述第二畫(huà)素區(qū)的容納區(qū)中。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層于所述第一畫(huà)素區(qū)及第二畫(huà)素區(qū)內(nèi)之部分區(qū)域形成擋墻。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層更形成于所述薄膜晶體管陣列基板的資料線上。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：于噴涂第二色阻層的步驟中，更將所述第二色阻層噴涂于所述薄膜晶體管陣列基板的資料線上。
5.如權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于：于噴涂第二色阻層的步驟中，是以條狀噴墨打印方式噴涂所述第二色阻層。
6.如權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，更包含步驟：形成遮光層設(shè)置于所述第一圖案化色阻層和所述第二色阻層的交界處。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述遮光層形成于所述薄膜晶體管陣列基板的資料線上。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層更形成于所述薄膜晶體管陣列基板的掃描線上。
9.如權(quán)利要求1或8所述的制造方法，其特征在于：于噴涂第二色阻層的步驟中，更將所述第二色阻層噴涂于所述薄膜晶體管陣列基板的掃描線上。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于：于噴涂第二色阻層的步驟中，是以條狀噴墨打印方式噴涂所述第二色阻層。
11.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層更同時(shí)形成于所述薄膜晶體管陣列基板的資料線和掃描線上。
12.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層于所述第一畫(huà)素區(qū)及第二畫(huà)素區(qū)內(nèi)之部分區(qū)域形成的擋墻暴露出所述薄膜晶體管陣列基板上的薄膜晶體管或電容區(qū)。
13.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層于所述第一畫(huà)素區(qū)及第二畫(huà)素區(qū)內(nèi)之部分區(qū)域形成的擋墻圍繞成環(huán)狀或方形區(qū)域。
14.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，更包含步驟：
形成一保護(hù)層于所述第一圖案化色阻層及所述第二色阻層上；以及
形成一透明導(dǎo)電層于所述保護(hù)層上。
15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層更形成于所述薄膜晶體管陣列基板的資料線上，形成于所述資料線上的第一圖案化色阻層其厚度介于3.2～5.0微米之間。
16.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述第一圖案化色阻層更形成于所述薄膜晶體管陣列基板的資料線上，形成于所述資料線上的第一圖案化色阻層與所述第二色阻層的厚度比介于1.067至1.67之間。
17.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶體管陣列基板上具有一基于金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層結(jié)構(gòu)的電容區(qū)。
18.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶體管陣列基板上具有一基于金屬層-絕緣層-金屬層結(jié)構(gòu)的電容區(qū)。
19.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于：所述基于金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層結(jié)構(gòu)的電容區(qū)形成于所述薄膜晶體管陣列基板的掃描線上。
20.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于：所述基于金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層結(jié)構(gòu)的電容區(qū)形成于所述薄膜晶體管陣列基板的共同電極線上。
21.如權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于：所述基于金屬層-絕緣層-金屬層結(jié)構(gòu)的電容區(qū)形成于所述薄膜晶體管陣列基板的掃描線上。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
