[發(fā)明專(zhuān)利]CMOS有源像素傳感器共享的放大器像素無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910178007.1 | 申請(qǐng)日： | 2006-05-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101661947A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | R·M·圭達(dá)什;R·姆魯?shù)侔簛唩?/a>;W·徐 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 伊斯曼柯達(dá)公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡;蔣 駿 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cmos 有源 像素 傳感器 共享 放大器 | ||
1.一種圖像傳感器，包括：
單位單元，所述單位單元具有多個(gè)像素，每個(gè)像素都包括光電探測(cè)器和傳輸門(mén)；所述單位單元包括：
(a)多個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散，被浮動(dòng)擴(kuò)散互連層接合，其中在浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)中沒(méi)有使用額外的P阱注入并且所述多個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散具有n型源極漏極注入，并且其中n型注入包圍所述n型源極漏極注入以用于減小結(jié)電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述n型注入被用于形成光電探測(cè)器。
3.一種圖像傳感器，包括：
單位單元，所述單位單元具有多個(gè)像素，每個(gè)像素都包括光電探測(cè)器和傳輸門(mén)；所述單位單元包括：
(a)多個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散，具有n型源極漏極注入，并且所述浮動(dòng)擴(kuò)散被浮動(dòng)擴(kuò)散互連層接合；其中n型注入包圍所述n型源極漏極注入，以用于減小結(jié)電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述n型注入被用于形成光電探測(cè)器。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于伊斯曼柯達(dá)公司，未經(jīng)伊斯曼柯達(dá)公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910178007.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
