[發明專利]過溫及過電流雙保護元件及其制法無效
| 申請號: | 200910177356.1 | 申請日: | 2009-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102035175A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 余長欣;吳怡萱 | 申請(專利權)人: | 璦司柏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H02H5/04 | 分類號: | H02H5/04;H02H3/08 |
| 代理公司: | 北京明和龍知識產權代理有限公司 11281 | 代理人: | 郁玉成 |
| 地址: | 中國臺灣桃*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電流 保護 元件 及其 制法 | ||
1.一種過溫及過電流雙保護元件的制造方法,其特征在于,包括下列步驟:
a)在一片基板上,設置至少一組包括兩個端部,以及并聯于該二端部間的至少一個保險絲、及至少一個正溫度系數熱敏電阻的電路裝置;
b)形成一層保護層,該保護層與該基板共同形成一個至少被覆該保險絲及該正溫度系數熱敏電阻的腔室;
c)形成兩個導接該二端部、且暴露于該腔室外的端電極。
2.如權利要求1所述的制造方法,其特征在于,其中該步驟a)是形成多個電路裝置在該基板上,且該方法更包含在該步驟b)后,將該形成有該等電路裝置的基板,依各該電路裝置的分布分離成晶粒的步驟d)。
3.如權利要求2所述的制造方法,其特征在于,其中該等電路裝置是以上述各該二端部連線方向為一列方向,該等電路裝置則以彼此沿著與該列方向夾一角度的行方向平行配置,并于該基板上形成多行的矩陣配置,且該步驟d)更包括下列次步驟:
d1)將該等電路裝置沿該等列方向分離成多行;及
d2)將該等行沿該行方向分離成個別晶粒。
4.如權利要求3所述的制造方法,其特征在于,其中該步驟d1)是將該等由該基板分離而成的多行的各側邊切面暴露,供形成該步驟c)的該等端電極。
5.如權利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包含在該步驟a)前,在該基板將形成該保險絲及該正溫度系數熱敏電阻處,先形成一層隔絕層的步驟e)。
6.如權利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包含在該步驟a)及步驟b)間,形成一層隔離層的步驟f)。
7.如權利要求1、2、3、4、5或6所述的制造方法,其特征在于,其中該步驟a)是在該基板上同時形成該保險絲及該正溫度系數熱敏電阻。
8.如權利要求1、2、3、4、5或6所述的制造方法,其特征在于,其中該步驟a)更包括下列次步驟:
a1)在該基板上形成該保險絲;及
a2)在該保險絲上方形成該正溫度系數熱敏電阻。
9.如權利要求1、2、3、4、5或6所述的制造方法,其特征在于,其中該步驟a)更包括下列次步驟:
a1)在該基板上形成該正溫度系數熱敏電阻;及
a2)在該正溫度系數熱敏電阻上方形成該保險絲。
10.一種過溫及過電流雙保護元件,其特征在于,包括:
一個基板;
一組包括兩個端部,及并聯于該二端部間的至少一個保險絲、與至少一個正溫度系數熱敏電阻的電路裝置;
一層與該基板共同形成一個至少被覆該保險絲及該正溫度系數熱敏電阻的腔室的保護層;及
兩個導接該二端部、且暴露于該腔室外的端電極。
11.如權利要求10所述的雙保護元件,其特征在于,該基板更包括一層本體、及一層朝向該電路裝置方向形成于該本體上的一絕熱層。
12.如權利要求10所述的雙保護元件,其特征在于,該基板更包括一層本體、及一層朝向該電路裝置方向形成于該本體上的一絕緣層。
13.如權利要求10所述的雙保護元件,其特征在于,其中該基板是一陶瓷基板。
14.如權利要求10、11、12或13所述的雙保護元件,其特征在于,其中,該保險絲與該正溫度系數熱敏電阻間,更形成有一分隔層。
15.如權利要求10、11、12或13所述的雙保護元件,其特征在于,其中,該保險絲是形成于該基板上、且該正溫度系數熱敏電阻系形成于該保險絲上。
16.如權利要求10、11、12或13所述的雙保護元件,其特征在于,其中,該正溫度系數熱敏電阻系形成于該基板上、且該保險絲系形成于該正溫度系數熱敏電阻上。
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