[發(fā)明專利]靜電放電防護(hù)裝置及其中的靜電放電防護(hù)元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910176680.1
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102034806A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇郁迪;徐中玓
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種靜電放電防護(hù)元件，其特征在于，所述靜電放電防護(hù)元件包括：

一硅控整流器等效電路，寄生于所述靜電放電防護(hù)元件中，并具有一陽極和一陰極，其中所述陽極為一P型重?fù)诫s區(qū)且用以耦接于一焊墊，所述陰極用以耦接于一低位準(zhǔn)電壓；以及

至少一第一N型重?fù)诫s區(qū)，緊鄰所述P型重?fù)诫s區(qū)，并呈浮置狀態(tài)。

2.一種靜電放電防護(hù)元件，其特征在于，所述靜電放電防護(hù)元件包括：

一源極區(qū)，用以耦接于一低位準(zhǔn)電壓；以及

一漏極區(qū)，與所述源極區(qū)分開設(shè)置，并包括一第一P型重?fù)诫s區(qū)以及至少一第一N型重?fù)诫s區(qū)，所述第一P型重?fù)诫s區(qū)用以耦接于一焊墊，所述第一N型重?fù)诫s區(qū)緊鄰所述第一P型重?fù)诫s區(qū)且呈浮置狀態(tài)。

3.如權(quán)利要求2所述的靜電放電防護(hù)元件，其特征在于，所述靜電放電防護(hù)元件更包括：

一N型緩沖區(qū)，所述第一P型重?fù)诫s區(qū)與所述第一N型重?fù)诫s區(qū)是形成于所述N型緩沖區(qū)中；

一P型基體區(qū)；以及

一N型阱區(qū)，所述P型基體區(qū)與所述N型緩沖區(qū)是形成于所述N型阱區(qū)中。

4.如權(quán)利要求2所述的靜電放電防護(hù)元件，其特征在于，所述靜電放電防護(hù)元件更包括：

一N型緩沖區(qū)，所述第一P型重?fù)诫s區(qū)與所述第一N型重?fù)诫s區(qū)是形成于所述N型緩沖區(qū)中；以及

一P型阱區(qū)，所述N型緩沖區(qū)與所述源極區(qū)是形成于所述P型阱區(qū)中。

5.如權(quán)利要求2所述的靜電放電防護(hù)元件，其特征在于，所述源極區(qū)更包括一第二N型重?fù)诫s區(qū)，用以耦接于所述低位準(zhǔn)電壓。

6.一種靜電放電防護(hù)裝置，其特征在于，所述靜電放電防護(hù)裝置包括：

一相移電路，具有一暫態(tài)響應(yīng)，并于接收靜電放電電荷時根據(jù)所述暫態(tài)響應(yīng)產(chǎn)生一響應(yīng)電壓；

一晶體管開關(guān)電路，通過所述響應(yīng)電壓觸發(fā)而開啟，以根據(jù)所述靜電放電電荷產(chǎn)生一控制電壓；以及

一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，根據(jù)所述控制電壓導(dǎo)通，且寄生有一硅控整流器等效電路，當(dāng)所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通過所述控制電壓導(dǎo)通時，所述靜電放電電荷是經(jīng)由所述硅控整流器等效電路進(jìn)行放電，其中所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管更包括：

一P型重?fù)诫s區(qū)，用以耦接于一焊墊，并作為所述硅控整流器等效電路的一陽極；以及

至少一N型重?fù)诫s區(qū)，緊鄰于所述P型重?fù)诫s區(qū)，并呈浮置狀態(tài)。

7.如權(quán)利要求6所述的靜電放電防護(hù)裝置，其特征在于，所述相移電路更包括：

一等效電阻器，所述等效電阻器的一端用以接收所述靜電放電電荷；以及

一等效電容器，與所述等效電阻器串聯(lián)相接，其中所述響應(yīng)電壓產(chǎn)生于所述等效電容器與所述等效電阻器相接處。

8.如權(quán)利要求7所述的靜電放電防護(hù)裝置，其特征在于，所述等效電容器為一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有一柵極、一漏極以及一源極，所述柵極和所述源極耦接于一低位準(zhǔn)電壓，所述漏極與所述等效電阻器連接。

9.如權(quán)利要求7所述的靜電放電防護(hù)裝置，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有一柵極、一漏極以及一源極，所述柵極與所述等效電阻器連接，所述漏極和所述源極耦接于一低位準(zhǔn)電壓。

10.如權(quán)利要求6所述的靜電放電防護(hù)裝置，其特征在于，所述晶體管開關(guān)電路更包括：

一晶體管開關(guān)，用以接收所述響應(yīng)電壓，并通過所述響應(yīng)電壓觸發(fā)而導(dǎo)通；以及

一等效電阻器，耦接于所述晶體管開關(guān)，并于所述晶體管開關(guān)導(dǎo)通時根據(jù)所述靜電放電電荷于所述等效電阻器與所述晶體管開關(guān)耦接處產(chǎn)生所述控制電壓。

11.如權(quán)利要求10所述的靜電放電防護(hù)裝置，其特征在于，所述晶體管開關(guān)為一P型晶體管，具有一柵極、一漏極以及一源極，所述柵極用以接收所述響應(yīng)電壓，所述源極用以接收所述靜電放電電荷，所述漏極耦接于所述等效電阻器。