[發明專利]永磁場直拉硅單晶的工藝及附屬設備無效
| 申請號： | 200910176611.0 | 申請日： | 2009-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN101906658A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 徐岳生;王海云;劉彩池;顧勵生;李幼斌;王繼炎;郎益謙 | 申請（專利權）人： | 天津希力斯新能源技術研發有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300410 天津市天津空*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 永磁 場直拉硅單晶 工藝 附屬 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種直拉硅單晶的工藝，其特征在于向熔體空間引入可變磁感應強度的磁場。
2.如權利要求1所述的工藝，其特征在于所述可變磁場的強度在為0～1500高斯范圍內均勻連續可變。
3.如權利要求1所述的工藝，其特征在于所述可變磁場起始強度為800高斯；當品體生長長度達到一半時，磁場強度降均勻連續地低至600高斯；結束時為400～500高斯。
4.一種權利要求1所述工藝的附屬設備，其特征在于常規的直拉單晶爐(1)外面套有環狀永磁體(2)。
5.如權利要求4所述的設備，其特征在于所述環狀永磁體(2)是具有兩層和/或兩層以上的結構。
6.如權利要求5所述的設備，其特征在于所述環狀永磁體(2)是具有兩層的結構。
7.如權利要求4所述的設備，其中所述永磁體(2)采用釹鐵硼永磁材料制備。
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