[發明專利]半導體薄膜的形成方法以及電子設備的制造方法

無效

• 申請號: 200910176186.5
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN101685845A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 平田晉太郎;保原大介
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種半導體薄膜的形成方法，包括以下步驟：

(a)在基板上涂敷無機半導體微粒分散溶液并對涂層進 行干燥以形成半導體微粒層，所述基板的一部分進行了表面處 理以具有與所述無機半導體微粒的親和性，并且所述無機半導 體微粒的表面上形成有保護層，所述保護層的材料是具有能結 合到所述無機半導體微粒的官能團的分子；以及

(b)將所述半導體微粒層浸入半導體薄膜形成溶液中以 形成半導體薄膜，其中

所述半導體薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙 醇，并且

經過步驟(a)，所述基板上存在所述無機半導體微粒的比 率為80％以上；并且經過步驟(b)，所述基板上存在所述半 導體薄膜的比率為95％以上。

2.根據權利要求1所述的半導體薄膜的形成方法，其中，所述無 機半導體微粒由從由硒化鉛、硒化錫、硒化鍺、硒化鎘、硒化 鋅、硫化鉛、硫化錫、硫化鍺、硫化鎘、硫化鋅、碲化鉛、碲 化錫、碲化鍺、碲化鎘和碲化鋅構成的組中選出的至少一種材 料構成。

3.根據權利要求1所述的半導體薄膜的形成方法，其中，所述二 硫醇化合物是烷烴二硫醇、苯二硫醇或噻吩二硫醇。

4.一種電子設備的制造方法，所述電子設備包括(A)控制電極、 (B)第一電極和第二電極、以及(C)由半導體薄膜構成并 設置在所述第一電極和所述第二電極之間以通過絕緣層面對 所述控制電極的活性層，

其中，所述半導體薄膜通過以下步驟形成：

(a)在基板上涂敷無機半導體微粒分散溶液以形成涂層 并對所述涂層進行干燥以形成半導體微粒層，所述基板的一部 分進行了表面處理以具有與所述無機半導體微粒的親和性，并 且所述無機半導體微粒的表面上形成有保護層，所述保護層的 材料是具有能結合到所述無機半導體微粒的官能團的分子；以 及

(b)將所述半導體微粒層浸入半導體薄膜形成溶液中， 其中

所述半導體薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙 醇，并且

經過步驟(a)，所述基板上存在所述無機半導體微粒的比 率為80％以上；并且經過步驟(b)，所述基板上存在所述半 導體薄膜的比率為95％以上。

5.根據權利要求4所述的電子設備的制造方法，其中，所述電子 設備包括場效應晶體管，其中，所述控制電極對應于柵電極， 第一和第二電極對應于源/漏電極，所述絕緣層對應于柵極絕 緣層，而所述活性層對應于溝道形成區域。

6.一種電子設備的制造方法，所述電子設備包括(A)第一電極 和第二電極、以及(B)由半導體薄膜構成并設置在所述第一 電極和所述第二電極之間的活性層，

其中，所述半導體薄膜通過以下步驟形成：

(a)在基板上涂敷無機半導體微粒分散溶液以形成涂層 并對所述涂層進行干燥以形成半導體微粒層，所述基板的一部 分進行了表面處理以具有與所述無機半導體微粒的親和性，并 且所述無機半導體微粒的表面上形成有保護層，所述保護層的 材料是具有能結合到所述無機半導體微粒的官能團的分子；以 及

(b)將所述半導體微粒層浸入半導體薄膜形成溶液中， 其中

所述半導體薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙 醇，并且

經過步驟(a)，所述基板上存在所述無機半導體微粒的比 率為80％以上；并且經過步驟(b)，所述基板上存在所述半 導體薄膜的比率為95％以上。

7.根據權利要求4或6所述的電子設備的制造方法，其中，所述 無機半導體微粒由從由硒化鉛、硒化錫、硒化鍺、硒化鎘、硒 化鋅、硫化鉛、硫化錫、硫化鍺、硫化鎘、硫化鋅、碲化鉛、 碲化錫、碲化鍺、碲化鎘和碲化鋅構成的組中選出的至少一種 材料構成。

8.根據權利要求4或6所述的電子設備的制造方法，其中，所述 二硫醇化合物是烷烴二硫醇、苯二硫醇或噻吩二硫醇。