[發(fā)明專利]具有窗口陣列的頂部暴露式夾片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910175998.8 | 申請(qǐng)日: | 2009-09-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101685810A | 公開(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石磊;趙良;劉凱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/492 | 分類號(hào): | H01L23/492;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 張靜潔;王敏杰 |
| 地址: | 百慕大哈密*** | 國(guó)省代碼: | 百慕大群島;BM |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 窗口 陣列 頂部 暴露 式夾片 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體組件封裝的夾片,其包含有:
一金屬薄板,其包含有窗口陣列;
至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu),每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)具有第一末端與第二末端,其中,在窗口處,第一末端電性連接至金屬薄板;
其中每一該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)在第二末端處是用來(lái)提供電性連接到半導(dǎo)體組件上的半導(dǎo)體區(qū)域或者引線框架。
2.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是單一階梯狀。
3.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是雙階梯狀。
4.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是螺旋形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)包含有第二末端是近似V形的至少一指狀結(jié)構(gòu),其近似V形的底部與該半導(dǎo)體區(qū)域的頂部形成電性連接。
6.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)更包含有第二末端與一引線框架形成電性連接的至少一指狀結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該金屬薄板的材料是選自于包含有銅、鋼、鋁、鎳、鈦所構(gòu)成的群組或者結(jié)合有其它成分的銅合金、鋼合金、鋁合金、鎳合金、鈦合金。
8.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,在鄰接窗口間該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)提供若干個(gè)彼此間是利用間隙分隔開的平行電性路徑。
9.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該夾片的尺寸是介于0.5mm與5cm之間。
10.如權(quán)利要求1所述的夾片,其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是由該金屬薄板沖模形成。
11.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其包含有:
一引線框架,其包含有一個(gè)主要部分與至少一個(gè)引線;
一半導(dǎo)體組件,其包含有至少一個(gè)位于頂面的第一接觸區(qū)域;以及
一夾片,其包含有:
一金屬薄板,其包含有一窗口陣列;
若干個(gè)導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu),每一個(gè)導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)包含有第一末端與第二末端,其中,在每個(gè)窗口處,該第一末端電性連接至該金屬薄板;
其中在該若干個(gè)導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)的第一設(shè)置處的第二末端處,該夾片電性連接至該半導(dǎo)體組件的第一接觸區(qū)域;
其中該夾片電性連接該第一接觸區(qū)域至該引線框架;以及
該半導(dǎo)體組件的底面面向該引線框架的主要部分設(shè)置。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該若干個(gè)導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)的該第一設(shè)置處的第二末端是近似V形,其中每一個(gè)近似V形的底部與該第一接觸區(qū)域電性連接。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,在該若干個(gè)導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)的第二設(shè)置處,該夾片電性連接至該引線框架。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是單一階梯狀。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是雙階梯狀。?
16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是螺旋形狀。
17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該半導(dǎo)體組件是利用一模鑄化合物進(jìn)行封圍,其中該夾片的頂表面是自該模鑄化合物暴露出。
18.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該半導(dǎo)體組件是金屬氧化物半導(dǎo)體MOS組件,其中該MOS組件的表面上更包含有一柵極區(qū)域。
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