[發明專利]電容器及其形成方法

有效

• 申請號: 200910175077.1
• 申請日: 2009-09-27
• 公開（公告）號: CN102034686A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 王樂
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/92
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種電容器的形成方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上形成下電極；

在下電極上依次形成絕緣介質層、上電極和光刻膠層，所述光刻膠層中具有通孔圖形；

以光刻膠層為掩膜，沿通孔圖形刻蝕上電極和絕緣介質層至露出下電極，形成通孔；

去除光刻膠層后，刻蝕上電極、絕緣介質層和下電極，形成電容器。

2.根據權利要求1所述電容器的形成方法，其特征在于，所述下電極的材料為多晶硅，厚度為1000埃～3000埃，形成方法為化學氣相沉積法。

3.根據權利要求1所述電容器的形成方法，其特征在于，所述下電極的材料為金屬，厚度為3000埃～5000埃，形成方法為濺射法。

4.根據權利要求1所述電容器的形成方法，其特征在于，所述絕緣介質層的材料為二氧化硅、正硅酸乙酯或氧化硅-氮化硅-氧化硅。

5.根據權利要求4所述電容器的形成方法，其特征在于，所述絕緣介質層的厚度為300埃～600埃。

6.根據權利要求5所述電容器的形成方法，其特征在于，形成絕緣介質層的方法為化學氣相沉積法。

7.根據權利要求1所述電容器的形成方法，其特征在于，所述通孔的尺寸為0.1μm～0.2μm。

8.根據權利要求7所述電容器的形成方法，其特征在于，所述通孔間的間距為0.4μm～0.5μm。

9.根據權利要求1所述電容器的形成方法，其特征在于，所述上電極的材料為多晶硅，厚度為1000埃～3000埃，形成方法為化學氣相沉積法。

10.根據權利要求1所述電容器的形成方法，其特征在于，所述上電極的材料為金屬，厚度為3000埃～5000埃，形成方法為濺射法。

11.一種用權利要求1的方法形成的電容器，包括：半導體襯底，位于半導體襯底上的下電極，位于下電極上的絕緣介質層，位于絕緣介質層上的上電極；其特征在于，所述上電極和絕緣介質層內具有貫穿上電極和絕緣介質層厚度的通孔。

12.根據權利要求11所述電容器，其特征在于，所述通孔的尺寸為0.1μm～0.2μm。

13.根據權利要求12所述電容器，其特征在于，所述通孔間的間距為0.4μm～0.5μm。