[發明專利]立方半導體封裝

有效

• 申請號: 200910174948.8
• 申請日: 2009-11-03
• 公開（公告）號: CN101789419A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 徐敏碩;李升鉉
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/52;H01L23/482
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種立方半導體封裝，包括：

多個半導體芯片模塊，每個半導體芯片模塊包括：

半導體芯片，包括：

焊墊，設置在第一表面上；

穿通電極，穿過所述半導體芯片的所述第一表面和與所述第一 表面相反的第二表面；及

重配置線，設置于所述第一表面和所述第二表面的至少一個 上，所述重配置線電耦接到所述穿通電極和所述焊墊，其中所述重配置線的 端部與連接所述第一表面和所述第二表面的側表面齊平；以及

設置于所述側表面上的連接構件，電耦接到所述重配置線，

其中所述穿通電極穿過對應的所述重配置線，

其中所述多個半導體芯片模塊中的一部分水平堆疊且通過所述穿通電 極彼此電耦接，

所述多個半導體芯片模塊中的一部分垂直堆疊且附著于水平堆疊的所 述半導體芯片模塊，

所述多個半導體芯片模塊中的一部分具有不同于其他半導體芯片模塊 的尺寸和形狀，從而當所述多個半導體芯片模塊設置在一起時，在所述立方 半導體封裝中產生間隙，

所述立方半導體封裝還包括：

間隙填充構件，填充所述間隙，

其中穿過水平堆疊的所述半導體芯片模塊的所述穿通電極的一些也穿 過所述間隙填充構件且不穿過至少一個水平堆疊的所述半導體芯片模塊。

2.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中所述重配置線包括延伸 部，該延伸部從所述第一表面延伸至所述側表面的至少一個。

3.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中所述連接構件包括導電 球。

4.如權利要求1所述的立方半導體封裝，還包括粘結構件，覆蓋所述重 配置線并具有限定在其中的用于暴露所述穿通電極的開口。

5.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中所述垂直堆疊的半導體芯 片模塊通過連接構件電耦接到所述水平堆疊的半導體芯片模塊，所述連接構 件耦接到所述水平堆疊的半導體芯片模塊的重配置線以及所述垂直堆疊的 半導體芯片模塊的所述穿通電極。

6.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中所述連接構件包括導電 球，所述導電球耦接到所述多個半導體芯片模塊的至少一個的穿通電極的端 部。

7.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中一部分所述半導體芯片模 塊具有基本上相同的尺寸和相同的形狀。

8.如權利要求5所述的立方半導體封裝，其中所述水平堆疊的半導體芯 片模塊具有不同的尺寸和形狀，其中所述水平堆疊的半導體芯片模塊的至少 一個側表面基本上相互齊平。

9.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中一部分所述垂直堆疊的半 導體芯片模塊包括用于存儲數據的數據存儲半導體芯片和用于處理數據的 數據處理半導體芯片中的一個。

10.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中一部分所述垂直堆疊的 半導體芯片模塊尺寸和形狀大致與一部分所述水平堆疊的半導體芯片模塊 相同。

11.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中全部所述垂直堆疊的半 導體芯片模塊的尺寸不同于全部所述水平堆疊的半導體芯片模塊的尺寸。

12.如權利要求9所述的立方半導體封裝，其中一部分所述水平堆疊的 半導體芯片模塊的連接構件耦接到一部分所述垂直堆疊的半導體芯片模塊 的穿通電極。

13.如權利要求1所述的立方半導體封裝，其中所述重配置線由具有第 一硬度和第一熔化溫度的第一金屬形成，所述連接構件由具有第二硬度和第 二熔化溫度的第二金屬形成，其中所述第二硬度小于所述第一硬度，并且所 述第二熔化溫度低于所述第一熔化溫度。