[發(fā)明專利]硅晶片及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910174525.6 | 申請日： | 2009-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN101713098A | 公開（公告）日： | 2010-05-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樸正求 | 申請（專利權）人： | 美格納半導體有限會社 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 韓國忠清*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅晶片，其包括：
第一除雜區(qū)，其形成在所述硅晶片中；和
本體區(qū)域，其形成于所述第一除雜區(qū)與所述硅晶片的背面之間，
其中所述第一除雜區(qū)形成為具有自所述頂面20微米至80微米的 深度，
其中所述本體區(qū)域中的氧濃度在整個所述本體區(qū)域中以10％內 的變化來均勻分布，并且
其中所述本體區(qū)域中本體微缺陷的密度為大于5.43×106ea/cm2且 小于或等于1×107ea/cm2。
2.如權利要求1的硅晶片，其中所述本體區(qū)域中的氧濃度為10.5至13 原子百萬分率。
3.如權利要求1的硅晶片，其還包括外延層，所述外延層通過外延生 長而形成在所述硅晶片的頂面上。
4.如權利要求1的硅晶片，其還包括第二除雜區(qū)，所述第二除雜區(qū)形 成于所述本體區(qū)域下方且具有自所述背面朝向所述頂面的方向的 預定深度。
5.如權利要求4的硅晶片，其中所述第二除雜區(qū)形成為具有自所述背 面20微米至80微米的深度。
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